特許
J-GLOBAL ID：201403027915751564

半導体装置

発明者：
宇野 友彰

宇野 友彰 について

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松浦 伸悌

松浦 伸悌 について

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佐藤 幸弘

佐藤 幸弘 について

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大川 啓一

大川 啓一 について

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川島 徹也

川島 徹也 について

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芦田 喜章

芦田 喜章 について


出願人/特許権者：
ルネサスエレクトロニクス株式会社

ルネサスエレクトロニクス株式会社 について


代理人 (1件)： 筒井 大和
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-046397
公開番号（公開出願番号）：特開2013-102250
特許番号：特許第5493021号
出願日： 2013年03月08日
公開日（公表日）： 2013年05月23日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 導電体からなるチップ搭載部と、 前記チップ搭載部の周囲に配置された外部端子と、 前記チップ搭載部上に搭載され、電界効果トランジスタを含む半導体チップと、 前記半導体チップの前記電界効果トランジスタのソースと、前記外部端子とを電気的に接続する金属板と、 前記チップ搭載部の一部、前記外部端子の一部、前記半導体チップ、および前記金属板を覆う封止体と、を備え、 前記金属板は、前記半導体チップ上に配置され、前記半導体チップ上のソース電極パッドに接続される第1部分、および前記第1部分から前記外部端子に向かって延びる第2部分を有し、 前記金属板の前記第2部分にはスリットが形成され、前記スリットの先端は、前記第2部分内で終端し、 前記金属板の前記第2部分は前記外部端子と導電性の接着層を介して電気的に接続され、 前記金属板の前記第2部分から前記第1部分に向かう方向において、前記スリットの前記先端の位置は、前記接着層の盛り上がった位置よりも深い位置にある、半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 25/07 ( 200 6.01) ,  H01L 25/18 ( 200 6.01)
FI (1件)：
H01L 25/04 C
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (3件)

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