半導体装置および半導体装置の製造方法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-120309
公開番号（公開出願番号）：特開2002-314018
出願日： 2001年04月18日
公開日（公表日）： 2002年10月25日
要約：

【要約】【課題】省電力で作動可能であるとともに、電気的性能が安定しており、かつ耐久性が高い半導体装置を提供する。【解決手段】リードフレーム3のドレイン側端子3dのドレイン側ポスト部7dの上に、半導体素子5をそのソース電極4sおよびゲート電極4gが上向きとなる姿勢で接合する。素子5のゲート電極4gとフレーム3のゲート側端子3gのゲート側ポスト部7gとをB’gワイヤ(ボンディングワイヤ)8で電気的に接続する。略板形状に形成されており、かつ、ソース電極4sに接続される部分6aとソース側ポスト部7sに接続される部分6bとの間の中間部6cが、素子5から離間する形状に形成されている1個のアルミニウム製の接続ストラップ6を、その両端部6aおよび6bが、電極4sおよびポスト部7sに直接接触するように、超音波接合により同時に電気的に接合する。

請求項（抜粋）：

複数個の電極を有する半導体素子と、複数個のリードフレームと、前記各電極のうちの少なくとも1個の該電極と、前記各リードフレームのうちの少なくとも1個の該リードフレームとを電気的に接続する、略板形状に形成された電流経路部材と、前記各リードフレーム、前記半導体素子、および前記電流経路部材をパッケージングするハウジングと、を具備し、前記電流経路部材は、該電流経路部材の前記電極に接続される部分と前記リードフレームに接続される部分との間の中間部が、前記半導体素子から離間する形状に形成されているとともに、前記電極および前記リードフレームのそれぞれに直接接触するように設けられることを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 23/48 , H01L 21/60 321 , H01L 21/607 , H01L 29/78 652

FI (4件)：

H01L 23/48 P , H01L 21/60 321 E , H01L 21/607 A , H01L 29/78 652 Q

Fターム (2件)：

5F044RR04 , 5F044RR08

引用特許：

審査官引用 (9件)

半導体パッケ-ジ
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-273424 出願人：インターナショナル・レクチファイヤー・コーポレーション
高周波伝送線路の接続構造
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-086090 出願人：京セラ株式会社
半導体装置及び半導体装置のリードフレーム
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-176005 出願人：松下電子工業株式会社

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