特許
J-GLOBAL ID：200903036504307018

半導体装置

発明者：
川島 徹也

川島 徹也 について

, 
三島 彰

三島 彰 について


出願人/特許権者：
株式会社ルネサステクノロジ

株式会社ルネサステクノロジ について


代理人 (1件)： 筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-020474
公開番号（公開出願番号）：特開2005-217072
出願日： 2004年01月28日
公開日（公表日）： 2005年08月11日
要約：
【課題】 複数の半導体チップが封入された半導体装置の放熱性の向上を図る。【解決手段】 入力側板状リード部5上に制御用パワーMOSFETチップ2が配置され、このチップの裏面にはドレイン端子DT1が形成されており、一方、主面には、ソース端子ST1およびゲート端子GT1が形成され、このソース端子ST1とソース用板状リード部12とが接続されており、また、出力側板状リード部6上に同期用パワーMOSFETチップ3が配置されており、このチップの裏面にはドレイン端子DT2が形成され、このドレイン端子DT2に出力側板状リード部6が接続され、さらに、同期用パワーMOSFETチップ3の主面には、ソース端子ST2およびゲート端子GT2が形成されており、このソース端子ST2とソース用板状リード部13とが接続され、ソース用板状リード部12,13が露出していることにより、MCM1の放熱性を高めることができる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
それぞれが入力電極と第1の出力電極と第2の出力電極を有する第1のトランジスタと第2のトランジスタを備え、 前記第1のトランジスタの前記第1の出力電極と前記第2の出力電極との電流経路と前記第2のトランジスタの前記第1の出力電極と前記第2の出力電極との電流経路とが直列接続され、 第1導体部材には前記第1のトランジスタの前記第1の出力電極と前記第2の出力電極の一方が接続され、 第2導体部材には前記第1のトランジスタの前記第1の出力電極と前記第2の出力電極の他方が接続され、 前記第2導体部材には前記第2のトランジスタの前記第1の出力電極と前記第2の出力電極の他方が接続され、 第3導体部材には前記第2のトランジスタの他方が接続され、 前記第1導体部材、前記第2導体部材、前記第3導体部材は電気的に分離され、 前記第1導体部材、前記第2導体部材、前記第3導体部材、前記第1のトランジスタ、前記第2のトランジスタは機械的に一体化されてなることを特徴とする半導体装置。
IPC (6件)：
H01L23/34 ,  H01L21/52 ,  H01L23/28 ,  H01L23/36 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18
FI (6件)：
H01L23/34 A ,  H01L21/52 E ,  H01L23/28 E ,  H01L23/28 J ,  H01L23/36 Z ,  H01L25/04 C
Fターム (17件)：
4M109AA01 ,  4M109BA03 ,  4M109DB02 ,  4M109DB03 ,  4M109GA02 ,  5F036AA01 ,  5F036BA23 ,  5F036BB05 ,  5F036BB08 ,  5F036BB21 ,  5F036BE01 ,  5F036BE09 ,  5F047AA02 ,  5F047BA06 ,  5F047BA42 ,  5F047BA53 ,  5F047BB04
引用特許：
出願人引用 (2件)
  • 半導体装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-305228   出願人：株式会社デンソー
  • 半導体装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-234016   出願人：株式会社デンソー
審査官引用 (2件)

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