特許
J-GLOBAL ID：201403028108500686

レーザー装置

発明者：
住吉 哲実

住吉 哲実 について

, 
石井 恭

石井 恭 について


出願人/特許権者：
サイバーレーザー株式会社

サイバーレーザー株式会社 について


代理人 (2件)： 園田 吉隆 ,  小林 義教
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-041977
公開番号（公開出願番号）：特開2014-170839
出願日： 2013年03月04日
公開日（公表日）： 2014年09月18日
要約：
【課題】高出力レーザー装置において、高出力ゆえに生じる発熱による複数の重畳した要因がもたらす光軸ずれは、制御しない場合には装置全体が熱平衡に達するまで数時間待たないとレーザー装置として稼働できる状態にならなかった。また、突発的に生じる熱要因による部品の劣化による稼働停止も課題であった。【解決手段】熱源となる励起半導体レーザーの近傍に生じる発熱要因と、環境温度や伝送されたレーザーの吸収で生じる発熱要因とを区別し、それぞれに適した制御ユニットを配置し、その制御ユニット間の情報をコンピュータープログラムで適切に制御することにより、突発的な要因で生じる不具合も含め、レーザー装置の立ち上がり時間を大幅に短縮できる技術を提供する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
励起用半導体レーザーを励起源とするレーザー装置から出力されたレーザービーム光を検出する単一の光検出器と、 光検出器で検出された信号を受信し、その信号に基づいて半導体レーザーの電流を制御して光軸をAPC制御するAPC制御ユニットと、 レーザービームが通過する光学系ユニットを微動制御して光軸を制御する光軸微動制御ユニットと、 を有して構成される光軸制御システムであって、
IPC (4件)：
H01S 3/13 ,  H01S 3/094 ,  H01S 3/00 ,  G02F 1/35
FI (4件)：
H01S3/13 ,  H01S3/094 S ,  H01S3/00 G ,  G02F1/35
Fターム (16件)：
2K002AA04 ,  2K002AB03 ,  2K002AB12 ,  2K002EA30 ,  2K002EB11 ,  2K002EB15 ,  2K002GA10 ,  5F172EE13 ,  5F172NN06 ,  5F172NN23 ,  5F172NN29 ,  5F172NP03 ,  5F172NP16 ,  5F172NQ06 ,  5F172NR06 ,  5F172NR21
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (2件)

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