特許
J-GLOBAL ID：201403028201840497

レジスト材料、これを用いたパターン形成方法及び高分子化合物

発明者：
畠山 潤

畠山 潤 について

, 
長谷川 幸士

長谷川 幸士 について

, 
船津 顕之

船津 顕之 について


出願人/特許権者：
信越化学工業株式会社

信越化学工業株式会社 について


代理人 (4件)： 小島 隆司 ,  重松 沙織 ,  小林 克成 ,  石川 武史
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-281961
公開番号（公開出願番号）：特開2014-126623
出願日： 2012年12月26日
公開日（公表日）： 2014年07月07日
要約：
【解決手段】酸によってアルカリ溶解性が向上するベース樹脂となる高分子化合物と、高分子添加剤として一般式(1)で示される繰り返し単位pを含有する高分子化合物とを含むレジスト材料を提供する。(R1は炭素数1〜4の直鎖状又は分岐状のアルキレン基、0<p≦1.0である。)【効果】本発明のレジスト材料を用いて形成したフォトレジスト膜は、EUV露光におけるレジスト膜からのアウトガスの発生を低減させることができ、現像後のエッジラフネス(LWR)を低減し、レジスト膜表面を親水性化することによって、現像後レジスト膜上のブロッブ欠陥の発生を防止できる。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
酸によってアルカリ溶解性が向上するベース樹脂となる高分子化合物と、高分子添加剤として下記一般式(1)で示される繰り返し単位pを含有する高分子化合物とを含むことを特徴とするレジスト材料。
IPC (4件)：
G03F 7/004 ,  G03F 7/039 ,  C08F 12/22 ,  H01L 21/027
FI (4件)：
G03F7/004 501 ,  G03F7/039 601 ,  C08F12/22 ,  H01L21/30 502R
Fターム (78件)：
2H125AF17P ,  2H125AF18P ,  2H125AF34P ,  2H125AF38P ,  2H125AF70P ,  2H125AH12 ,  2H125AH14 ,  2H125AH15 ,  2H125AH16 ,  2H125AH23 ,  2H125AH24 ,  2H125AH25 ,  2H125AJ04Y ,  2H125AJ14X ,  2H125AJ14Y ,  2H125AJ42Y ,  2H125AJ44Y ,  2H125AJ64X ,  2H125AJ64Y ,  2H125AJ65X ,  2H125AJ65Y ,  2H125AM12P ,  2H125AM13P ,  2H125AM22P ,  2H125AM92P ,  2H125AM94P ,  2H125AM99P ,  2H125AN38P ,  2H125AN39P ,  2H125AN41P ,  2H125AN42P ,  2H125AN88P ,  2H125BA01P ,  2H125BA02P ,  2H125BA26P ,  2H125BA32P ,  2H125CA12 ,  2H125CB12 ,  2H125CC03 ,  2H125CC15 ,  2H125CD08P ,  2H125CD38 ,  4J100AB01R ,  4J100AB02Q ,  4J100AB07P ,  4J100AB07Q ,  4J100AB07R ,  4J100AL08R ,  4J100AR09Q ,  4J100AR10R ,  4J100BA03P ,  4J100BA03Q ,  4J100BA15P ,  4J100BA15Q ,  4J100BA16R ,  4J100BA28R ,  4J100BA58R ,  4J100BB07R ,  4J100BB12R ,  4J100BB18P ,  4J100BB18Q ,  4J100BB18R ,  4J100BC07R ,  4J100BC08R ,  4J100BC43R ,  4J100BC53R ,  4J100CA01 ,  4J100CA04 ,  4J100CA05 ,  4J100DA01 ,  4J100DA04 ,  4J100DA05 ,  4J100FA28 ,  4J100FA30 ,  4J100GB05 ,  4J100GC26 ,  4J100JA37 ,  4J100JA38
引用特許：
審査官引用 (5件)
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