特許
J-GLOBAL ID：201403028967945975
蒸着源及び成膜装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
佐藤 隆久
, 飯島 康弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-059776
公開番号（公開出願番号）：特開2014-185356
出願日： 2013年03月22日
公開日（公表日）： 2014年10月02日
要約：
【課題】汚染源からの成分による薄膜のコンタミネーションを抑制し、かつ、反射電子による薄膜の特性の劣化、薄膜の破壊、あるいは基板へダメージを与える等の悪影響を低減する。【解決手段】蒸着材料20dを収容する蒸着材料収容部を有する蒸着材料部20と、電子ビームを放射する電子ビーム放射部21と、少なくとも蒸着材料20dの上方を除く領域に設けられ、電子ビームが蒸着材料に入射するように電子ビームの進行方向を偏向させる磁場を形成する磁場回路部(22a、22b、22c)と、蒸着材料部の近傍に設けられ、磁場回路部により形成される磁場により、電子ビームが蒸着材料に入射したときに発散する反射電子をトラップする反射電子トラップ部23とを有する構成とする。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
蒸着材料を収容する蒸着材料収容部を有する蒸着材料部と、
電子ビームを放射する電子ビーム放射部と、
少なくとも蒸着材料の上方を除く領域に設けられ、前記電子ビームが前記蒸着材料に入射するように前記電子ビームの進行方向を偏向させる磁場を形成する磁場回路部と、
前記蒸着材料部の近傍に設けられ、前記磁場回路部により形成される磁場により、前記電子ビームが前記蒸着材料に入射したときに発散する反射電子をトラップする反射電子トラップ部と
を有する蒸着源。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (3件)：
4K029DB12
, 4K029DB21
, 4K029DB23
