特許
J-GLOBAL ID：201403029114328131

半導体装置

発明者：
小野 善宏

小野 善宏 について

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木田 剛

木田 剛 について

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坂田 賢治

坂田 賢治 について


出願人/特許権者：
ルネサスエレクトロニクス株式会社

ルネサスエレクトロニクス株式会社 について


代理人 (2件)： 速水 進治 ,  天城 聡
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-121005
公開番号（公開出願番号）：特開2014-239155
出願日： 2013年06月07日
公開日（公表日）： 2014年12月18日
要約：
【課題】導体柱に加わる応力を緩和しつつ、半導体チップと配線基板の接続信頼性を維持する【解決手段】半導体チップSCと配線基板IPは、導体柱MEPを介して接続している。最外周の開口OPにおいて、開口OP上に位置する導体柱MEPの中心は、開口OPの中心よりも、半導体チップSCの中心CEN1から離れる方向にずれている。そして、導体柱MEPと絶縁層SR1が重なった領域を、重複領域とすると、開口OPよりも内側の重複領域の幅は、開口OPよりも外側の重複領域の幅よりも小さい。【選択図】図5
請求項（抜粋）：
複数の電極を有する配線基板と、 前記配線基板上に搭載され、はんだを介して前記複数の電極に接続している半導体チップと、 を備え、 前記半導体チップは、 矩形の基板と、 前記基板上に形成された絶縁膜と、 前記絶縁膜に形成され、前記基板の第1辺に沿って配置された複数の開口と、 前記複数の開口内に位置する複数の電極パッドと、 前記複数の電極パッドのそれぞれ上に形成され、縁の少なくとも一部が前記絶縁膜上に位置しており、前記はんだに接続している導体柱と、 を備え、 前記導体柱と前記絶縁膜とが重なっている部分を重複領域とした場合、前記第1辺の一端に最も近い前記導体柱である第1導体柱の中心を始点として前記基板の中心を終点とした直線である第1直線上に位置する前記重複領域の幅である第1幅は、前記第1直線を前記第1導体柱の中心を突き抜ける方向に延長した延長線上における前記重複領域の幅である第2幅よりも小さく、 前記第1導体柱の前記中心と、前記第1導体柱と重なっている前記開口である第1開口の中心とを通る直線である第2直線と、前記第1辺とは90°以外の角度で交わる半導体装置。
IPC (1件)：
H01L 23/12
FI (1件)：
H01L23/12 501B
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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