誘電体薄膜形成用組成物及びこの組成物を用いた誘電体薄膜の形成方法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：須田正義
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-013112
公開番号（公開出願番号）：特開2014-144881
出願日： 2013年01月28日
公開日（公表日）： 2014年08月14日
要約：

【課題】薄膜キャパシタ等において、リーク電流特性を向上させ得る誘電体薄膜形成用組成物、誘電体薄膜の形成方法及び誘電体薄膜を提供する。【解決手段】チタン酸バリウムストロンチウム(BST)系複合ペロブスカイト膜からなる誘電体薄膜を形成するための誘電体薄膜形成用組成物に、Al(アルミニウム)がドープされる。また上記組成物に含まれるペロブスカイトAサイト原子100原子%に対するAl(アルミニウム)のドープ量が0.1原子%以上15原子%以下の範囲にある。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

チタン酸バリウムストロンチウム(BST)系複合ペロブスカイト膜からなる誘電体薄膜を形成するための誘電体薄膜形成用組成物において、前記組成物にAl(アルミニウム)がドープされ、前記組成物に含まれるペロブスカイトAサイト原子100原子%に対する前記Al(アルミニウム)のドープ量が0.1原子%以上15原子%以下の範囲にあることを特徴とする誘電体薄膜形成用組成物。

IPC (7件)：

C04B 35/468 , H01B 3/00 , H01B 3/12 , H01G 4/33 , H01G 4/30 , H01G 4/12 , C01G 23/00

FI (8件)：

C04B35/46 D , H01B3/00 F , H01B3/12 303 , H01B3/12 326 , H01G4/06 102 , H01G4/30 301E , H01G4/12 358 , C01G23/00 C

Fターム (37件)：

4G031AA05 , 4G031AA06 , 4G031AA11 , 4G031AA29 , 4G031BA09 , 4G031CA01 , 4G031CA08 , 4G031GA02 , 4G031GA06 , 4G031GA11 , 4G047CA05 , 4G047CA07 , 4G047CB06 , 4G047CC02 , 4G047CD02 , 4G047CD08 , 5E001AB03 , 5E001AE02 , 5E001AE03 , 5E001AH01 , 5E001AH08 , 5E001AJ02 , 5E082AB03 , 5E082FF05 , 5E082FG03 , 5E082FG26 , 5E082FG46 , 5G303AA01 , 5G303AB03 , 5G303BA03 , 5G303BA12 , 5G303CA01 , 5G303CB01 , 5G303CB03 , 5G303CB32 , 5G303CB35 , 5G303DA02

引用特許：

審査官引用 (3件)

新規なセラミック強誘電性材料
公報種別：公表公報出願番号：特願平7-501779 出願人：アメリカ合衆国
誘電体薄膜形成用組成物、誘電体薄膜の形成方法及び該方法により形成された誘電体薄膜
公報種別：公開公報出願番号：特願2011-158537 出願人：三菱マテリアル株式会社
塗布液および該塗布液を用いたチタン酸系セラミックス膜の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-278837 出願人：株式会社ADEKA

引用文献：

審査官引用 (6件)

Material Properties of MOSD Derived Ba1-xSrxTiO3-Based Thin Films for Pyroelectric Sensor Applicatio
Material Properties of MOSD Derived Ba1-xSrxTiO3-Based Thin Films for Pyroelectric Sensor Applicatio
Improvement of dielectric loss tangent of Al2O3 doped BA0.5Sr0.5TiO3 thin films for tunable microwa

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