特許

J-GLOBAL ID：201403031263154272

パターン形成方法

発明者： 畠山 潤 ,  荻原 勤
出願人/特許権者： 信越化学工業株式会社
代理人 (5件)： 小島 隆司 ,  重松 沙織 ,  小林 克成 ,  石川 武史 ,  正木 克彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-027883
公開番号（公開出願番号）：特開2014-157246
出願日： 2013年02月15日
公開日（公表日）： 2014年08月28日
要約：

【解決手段】被加工基板上に、酸によって脱離する酸不安定基を持つ構造を有する繰り返し単位を有し、上記酸不安定基の脱離によって有機溶剤に不溶性になる樹脂、光酸発生剤及び有機溶剤を含有する化学増幅型レジスト材料を塗布し、プリベークし、該レジスト膜に高エネルギー線をパターン照射し、露光後加熱(PEB)し、有機溶剤で現像してネガ型パターンを得、該工程で得られたネガ型パターンを加熱して炭素を75質量%以上含有する樹脂を含有する溶液に使用される有機溶剤に対する耐性を与え、炭素を75質量%以上含有する樹脂を含有する溶液を塗布、プリベーク、ドライエッチングによってネガパターンをポジパターンに変換する画像反転を行うパターン形成方法。【効果】本発明によれば、パターンの倒れなく、高アスペクトなドットパターンなどのポジパターンを得ることが可能となる。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

被加工基板上に、酸によって脱離する酸不安定基を持つ構造を有する繰り返し単位を有し、上記酸不安定基の脱離によって有機溶剤に不溶性になる樹脂、高エネルギー線の露光により酸を発生する光酸発生剤及び有機溶剤を含有する化学増幅型レジスト材料を塗布し、プリベークにより不要な溶剤を除去し、該レジスト膜に高エネルギー線をパターン照射し、露光後加熱(PEB)し、有機溶剤で現像してネガ型パターンを得、該工程で得られたネガ型パターンを加熱して炭素を75質量%以上含有する樹脂を含有する溶液に使用される有機溶剤に対する耐性を与え、炭素を75質量%以上含有する樹脂を含有する溶液を塗布、プリベーク、ドライエッチングによってネガパターンをポジパターンに変換する画像反転を行うことを特徴とするパターン形成方法。

IPC (6件)：

G03F 7/40 ,  G03F 7/32 ,  G03F 7/038 ,  G03F 7/039 ,  H01L 21/027 ,  C08F 20/00

FI (6件)：

G03F7/40 511 ,  G03F7/32 ,  G03F7/038 601 ,  G03F7/039 601 ,  H01L21/30 569E ,  C08F20/00 510

Fターム (69件)：

2H096AA25 ,  2H096BA06 ,  2H096BA11 ,  2H096EA03 ,  2H096EA05 ,  2H096EA23 ,  2H096FA01 ,  2H096GA03 ,  2H096GA08 ,  2H096HA01 ,  2H096HA05 ,  2H096HA23 ,  2H096JA04 ,  2H125AF17P ,  2H125AF34P ,  2H125AF38P ,  2H125AF70P ,  2H125AH05 ,  2H125AH14 ,  2H125AH15 ,  2H125AH16 ,  2H125AH19 ,  2H125AH23 ,  2H125AH24 ,  2H125AJ12X ,  2H125AJ14X ,  2H125AJ14Y ,  2H125AJ18X ,  2H125AJ42Y ,  2H125AJ55X ,  2H125AJ55Y ,  2H125AJ59X ,  2H125AJ59Y ,  2H125AJ64X ,  2H125AJ84Y ,  2H125AM10P ,  2H125AM22P ,  2H125AM94P ,  2H125AM95P ,  2H125AM99P ,  2H125AN39P ,  2H125AN42P ,  2H125AN51P ,  2H125AN54P ,  2H125AN88P ,  2H125BA01P ,  2H125BA26P ,  2H125CA12 ,  2H125CB09 ,  2H125CC01 ,  2H125CC03 ,  2H125CC15 ,  2H125CC17 ,  2H125FA03 ,  2H125FA05 ,  2H196AA25 ,  2H196BA06 ,  2H196BA11 ,  2H196EA03 ,  2H196EA05 ,  2H196EA23 ,  2H196FA01 ,  2H196GA03 ,  2H196GA08 ,  2H196HA01 ,  2H196HA23 ,  2H196HA34 ,  2H196JA04 ,  5F146LA12

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 絶縁パターン形成方法及びダマシンプロセス用絶縁パターン形成材料
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2010-123392   出願人：JSR株式会社
• パターン形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2008-240270   出願人：信越化学工業株式会社
• パターン形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2010-172526   出願人：東京応化工業株式会社

審査官引用 (1件)

• 絶縁パターン形成方法及びダマシンプロセス用絶縁パターン形成材料
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2010-123392   出願人：JSR株式会社