特許

J-GLOBAL ID：201103092338998479

パターン形成方法

発明者： 竹下 優 ,  齋藤 弘国
出願人/特許権者： 東京応化工業株式会社
代理人 (4件)： 棚井 澄雄 ,  志賀 正武 ,  鈴木 三義 ,  五十嵐 光永
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-172526
公開番号（公開出願番号）：特開2011-197628
出願日： 2010年07月30日
公開日（公表日）： 2011年10月06日
要約：

【課題】微細パターンの形成に有用なパターン形成方法の提供。【解決手段】支持体上に化学増幅型ポジ型レジスト組成物を塗布して第一のレジストパターンを形成する工程と、前記第一のレジストパターンが形成された前記支持体上に、前記第一のレジストパターンを溶解しない有機溶剤を含有するパターン反転用組成物を塗布してパターン反転用膜を形成し、アルカリ現像することにより、前記第一のレジストパターンを除去してパターンを形成する工程とを有し、前記化学増幅型ポジ型レジスト組成物は、酸発生剤成分(B)と、酸解離性溶解抑制基を有する基材成分(A)とを含有し、前記パターン反転用組成物は、前記(A)成分中の酸解離性溶解抑制基を解離し得る酸成分(H)と、酸解離性溶解抑制基を有さない基材成分(A”)とを含有し、前記パターン反転用膜は、アルカリ現像液に対する溶解速度が0.3〜3.5nm/秒であるパターン形成方法。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

支持体上に、化学増幅型ポジ型レジスト組成物を塗布して第一のレジスト膜を形成し、該第一のレジスト膜を露光し、露光後ベークを行い、アルカリ現像して第一のレジストパターンを形成する工程(1)と、 前記第一のレジストパターンが形成された前記支持体上に、前記第一のレジストパターンを溶解しない有機溶剤を含有するパターン反転用組成物を塗布してパターン反転用膜を形成し、アルカリ現像することにより、前記第一のレジストパターンを除去してパターンを形成する工程(2)とを有するパターン形成方法であって、 前記化学増幅型ポジ型レジスト組成物は、露光により酸を発生する酸発生剤成分(B)と、酸解離性溶解抑制基を有する基材成分(A)とを含有するものであり、 前記パターン反転用組成物は、前記基材成分(A)中の酸解離性溶解抑制基を解離し得る酸強度を有する酸成分(H)と、酸解離性溶解抑制基を有さない基材成分(A”)とを含有するものであり、かつ、 前記パターン反転用膜は、アルカリ現像液に対する溶解速度が0.3〜3.5nm/秒であることを特徴とするパターン形成方法。

IPC (4件)：

G03F 7/40 ,  G03F 7/039 ,  C08F 20/10 ,  H01L 21/027

FI (4件)：

G03F7/40 511 ,  G03F7/039 601 ,  C08F20/10 ,  H01L21/30 570

Fターム (84件)：

2H096AA25 ,  2H096BA11 ,  2H096EA03 ,  2H096EA05 ,  2H096EA23 ,  2H096FA01 ,  2H096GA08 ,  2H096HA05 ,  2H096JA03 ,  2H096JA04 ,  2H125AF17P ,  2H125AF18N ,  2H125AF18P ,  2H125AF36N ,  2H125AF38N ,  2H125AF38P ,  2H125AF70P ,  2H125AH16 ,  2H125AH17 ,  2H125AH19 ,  2H125AH23 ,  2H125AH24 ,  2H125AJ14X ,  2H125AJ64X ,  2H125AJ65X ,  2H125AJ69X ,  2H125AM10N ,  2H125AM13N ,  2H125AM15N ,  2H125AM42N ,  2H125AM80N ,  2H125AM91N ,  2H125AM94N ,  2H125AM95N ,  2H125AM99N ,  2H125AN02P ,  2H125AN05N ,  2H125AN11N ,  2H125AN21P ,  2H125AN31N ,  2H125AN38P ,  2H125AN39N ,  2H125AN39P ,  2H125AN42P ,  2H125AN50N ,  2H125AN54P ,  2H125AN63P ,  2H125AN89N ,  2H125BA01N ,  2H125BA02P ,  2H125BA08P ,  2H125BA26P ,  2H125BA27N ,  2H125CA12 ,  2H125CB09 ,  2H125CC03 ,  2H125CC15 ,  2H125CD05P ,  2H125CD40 ,  4J100AL08P ,  4J100AL08Q ,  4J100AL08R ,  4J100AL08S ,  4J100AL08T ,  4J100BA03T ,  4J100BA11P ,  4J100BA11Q ,  4J100BA15Q ,  4J100BC03S ,  4J100BC09R ,  4J100BC09T ,  4J100BC53P ,  4J100BC84Q ,  4J100CA03 ,  4J100FA03 ,  4J100FA19 ,  4J100GC07 ,  4J100JA38 ,  5F046AA25 ,  5F046AA28 ,  5F046LA18 ,  5F146AA25 ,  5F146AA28 ,  5F146LA18

引用特許：

出願人引用 (6件)

• パターン形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2008-240270   出願人：信越化学工業株式会社
• レジストパターンの形成方法並びにこれに用いるポジ型レジスト材料
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2009-012555   出願人：信越化学工業株式会社
• レジストパターン形成方法、表面改質材料
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-161255   出願人：東京応化工業株式会社
• ポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-163650   出願人：東京応化工業株式会社
• パターン形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2009-022685   出願人：信越化学工業株式会社
• ポジ型レジスト組成物、レジストパターン形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2009-058725   出願人：東京応化工業株式会社