窒化物半導体基板の製造方法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：特許業務法人谷・阿部特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-121751
公開番号（公開出願番号）：特開2014-237570
出願日： 2013年06月10日
公開日（公表日）： 2014年12月18日
要約：

【課題】下地の基板からの剥離を容易に行うことができ、製造コストを抑制することが可能な窒化物半導体基板の製造方法を提供する。【解決手段】選択横方向成長(ELO法)を用いた厚膜成長による窒化物半導体基板の製造方法であって、基板1あるいは窒化物半導体層2表面に層状物質3を少なくとも2原子層堆積する工程と、層状物質3の面積と1または複数の開口部の面積の和との差が、1または複数の開口部の面積の和よりも大きくなるように層状物質3に1または複数の開口部を作製し、前記1または複数の開口部から基板1あるいは窒化物半導体層2を露出させる工程と、露出した基板1あるいは窒化物半導体層2から横方向選択再成長させて層状物質3上に窒化物半導体層2を形成する工程と、層状物質3に層状物質3の積層方向と垂直な方向に力を加えることによって、層状物質3を劈開する工程を含む。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板あるいは窒化物半導体層表面に層状物質を少なくとも2原子層堆積する工程と、前記層状物質に1または複数の開口部を作製して前記1または複数の開口部から前記基板あるいは前記窒化物半導体層を露出させる工程であって、前記層状物質の面積と前記1または複数の開口部の面積の和との差が、前記1または複数の開口部の面積の和よりも大きい、工程と、前記露出した前記基板あるいは前記窒化物半導体層から横方向選択再成長するように前記窒化物半導体層の結晶成長を行い、前記層状物質上に前記窒化物半導体層を形成する工程と、前記層状物質に前記層状物質の積層方向と垂直な方向に力を加えることによって、前記層状物質を劈開する工程を含むことを特徴とする窒化物半導体基板の製造方法。

IPC (6件)：

C30B 29/38 , H01L 29/20 , H01L 21/205 , C23C 16/34 , C23C 16/01 , C30B 23/04

FI (6件)：

C30B29/38 D , H01L29/20 , H01L21/205 , C23C16/34 , C23C16/01 , C30B23/04

Fターム (27件)：

4G077AA02 , 4G077BE15 , 4G077DB05 , 4G077EE07 , 4G077FJ03 , 4G077HA12 , 4G077TB04 , 4G077TC16 , 4G077TK11 , 4K030AA03 , 4K030AA13 , 4K030AA17 , 4K030BA08 , 4K030BA27 , 4K030BA38 , 4K030BA39 , 4K030BB02 , 4K030CA05 , 4K030CA12 , 4K030FA10 , 4K030LA14 , 5F045AA01 , 5F045AA04 , 5F045AB14 , 5F045AF02 , 5F045AF09 , 5F045DA53

引用特許：

審査官引用 (2件)

機能性膜含有構造体、及び、機能性膜の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-166407 出願人：富士フイルムホールディングス株式会社
3-5族窒化物半導体積層基板、3-5族窒化物半導体自立基板の製造方法、及び半導体素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-256022 出願人：住友化学株式会社, 国立大学法人三重大学

引用文献：

審査官引用 (1件)

Layered boron nitride as a release layer for mechanical transfer of GaN-Based devices

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