特許

J-GLOBAL ID：200903002459966909

3-5族窒化物半導体積層基板、3-5族窒化物半導体自立基板の製造方法、及び半導体素子

発明者： 土田 良彦 ,  小野 善伸 ,  西川 直宏 ,  平松 和政 ,  三宅 秀人
出願人/特許権者： 住友化学株式会社 ,  国立大学法人三重大学
代理人 (1件)： 高野 昌俊
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-256022
公開番号（公開出願番号）：特開2006-347863
出願日： 2005年09月05日
公開日（公表日）： 2006年12月28日
要約：

【課題】 工程を簡素化すると共に発光特性を改善する。【解決手段】 下地基板11上にマスク13を用いて選択成長により形成された3-5族窒化物半導体結晶14を備えて成る3-5族窒化物半導体積層基板1において、下地基板11とマスク13との間に3-5族窒化物半導体結晶14より結晶性の低い半導体層12を設ける。この構成を有する3-5族窒化物半導体自立基板の製造は、下地基板11の上に3-5族窒化物半導体結晶14より結晶性の低い半導体層12を形成し、半導体層12上にマスク13を形成してから選択成長によって3-5族窒化物半導体結晶14を形成した後、半導体層12において下地基板11を分離する。【選択図】 図3

請求項（抜粋）：

下地基板上に設けられたマスクを用いて選択成長により形成された3-5族窒化物半導体結晶を備えて成る3-5族窒化物半導体積層基板において、 前記下地基板と前記マスクとの間に前記3-5族窒化物半導体結晶より結晶性の低い半導体層を有することを特徴とする3-5族窒化物半導体積層基板。

IPC (3件)：

C30B 29/38 ,  H01L 33/00 ,  H01S 5/02

FI (3件)：

C30B29/38 D ,  H01L33/00 C ,  H01S5/02

Fターム (24件)：

4G077AA02 ,  4G077AA03 ,  4G077BE11 ,  4G077BE13 ,  4G077BE15 ,  4G077DB01 ,  4G077EE07 ,  4G077EF03 ,  4G077FJ03 ,  4G077HA02 ,  4G077HA12 ,  4G077TC14 ,  4G077TK11 ,  5F041AA40 ,  5F041AA42 ,  5F041CA40 ,  5F041CA64 ,  5F041CA77 ,  5F173AG20 ,  5F173AH22 ,  5F173AP04 ,  5F173AQ02 ,  5F173AR82 ,  5F173AR94

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 窒化物系半導体発光素子及び窒化物半導体層の成長方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-022181   出願人：三洋電機株式会社
• 3-5族化合物半導体とその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-082240   出願人：住友化学工業株式会社
• エピタキシャル層を1つの基板から分離して他の基板に移し替えるための方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-168653   出願人：アジレント・テクノロジーズ・インク

審査官引用 (2件)

• 窒化物半導体基板及びそれを用いた窒化物半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-373146   出願人：日亜化学工業株式会社
• 3-5族化合物半導体とその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-082240   出願人：住友化学工業株式会社

引用文献：

審査官引用 (4件)

• Preparation of Freestanding GaN Wafers by Hydride Vapor Phase Epitaxy with Void-Assisted Separation
• GaN Growth Using GaN Buffer Layer
• FIELO技術を用いたGaN結晶の低転位化
• 最近10年の結晶成長の動き III族窒化物半導体結晶の進展