半導体発光装置

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：日向寺雅彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-146031
公開番号（公開出願番号）：特開2014-011275
出願日： 2012年06月28日
公開日（公表日）： 2014年01月20日
要約：

【課題】発光効率を向上できる半導体発光装置を提供する。【解決手段】実施形態によれば、第1の半導体層は、第1の面と、第1の面の反対側に設けられ、p側領域と複数のn側領域とを有する第2の面とを有する。発光層はp側領域上に設けられている。第2の半導体層は発光層上に設けられている。p側電極は第2の半導体層上に設けられている。複数のn側電極のそれぞれは複数のn側領域のそれぞれの上に設けられている。n側配線部は、第1の絶縁膜上に設けられ、第1の絶縁膜を貫通する第2のビアを通じて複数のn側電極に対して共通に接続されている。第2の面において、複数のn側領域はつながらずに互いに分離され、それぞれのn側領域のまわりをp側領域が囲んでいる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

第1の面と、前記第1の面の反対側に設けられ、p側領域と複数のn側領域とを有する第2の面と、を有する第1の半導体層と、前記p側領域上に設けられた発光層と、前記発光層上に設けられた第2の半導体層と、前記第2の半導体層上に設けられたp側電極と、前記複数のn側領域のそれぞれの上に設けられた複数のn側電極と、前記第p側電極上及び前記n側電極上に設けられた第1の絶縁膜と、前記第1の絶縁膜上に設けられ、前記第1の絶縁膜を貫通する第1のビアを通じて前記p側電極と接続されたp側配線部と、前記第1の絶縁膜上に設けられ、前記第1の絶縁膜を貫通する第2のビアを通じて複数の前記n側電極に対して共通に接続されたn側配線部と、を備え、前記第2の面において、前記複数のn側領域はつながらずに互いに分離され、それぞれの前記n側領域のまわりを前記p側領域が囲んでいる半導体発光装置。

IPC (1件)：

H01L 33/38

FI (1件)：

H01L33/00 210

Fターム (9件)：

5F141AA03 , 5F141CA13 , 5F141CA40 , 5F141CA46 , 5F141CA65 , 5F141CA88 , 5F141CA92 , 5F141CA93 , 5F141CA98

引用特許：

審査官引用 (8件)

発光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2009-217231 出願人：豊田合成株式会社
発光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2010-190778 出願人：豊田合成株式会社
半導体発光装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2010-130481 出願人：株式会社東芝

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