特許
J-GLOBAL ID：201203041569774410
半導体発光装置及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
日向寺 雅彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-130481
公開番号（公開出願番号）：特開2011-258667
出願日： 2010年06月07日
公開日（公表日）： 2011年12月22日
要約：
【課題】量産性及び小型化に優れた半導体発光装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】実施形態によれば、半導体発光装置は、半導体層と、第1の電極と、第2の電極と、第1の絶縁層と、第1の配線層と、第2の配線層と、第1の金属ピラーと、第2の金属ピラーと、第2の絶縁層と、を備える。前記半導体層は、第1の主面と、その反対側に形成された第2の主面と、発光層とを含む。前記第1の配線層の一部の端面は、前記第1の絶縁層もしくは前記第2の絶縁層から側方に露出し、前記第2の配線層のすべての端面は、前記第1の絶縁層もしくは前記第2の絶縁層で覆われた。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
第1の主面と、その反対側に形成された第2の主面と、発光層とを含む半導体層と、
前記第2の主面における前記発光層を有する領域に設けられた第1の電極と、
前記第2の主面に設けられた第2の電極と、
前記半導体層の前記第2の主面側に設けられ、前記第1の電極につながる第1の開口部と、前記第2の電極につながる第2の開口部とを有する第1の絶縁層と、
前記第1の絶縁層の前記第1の開口部に設けられ、前記第1の電極と接続された第1の配線層と、
前記第1の絶縁層の前記第2の開口部に設けられ、前記第2の電極と接続された第2の配線層と、
前記第1の配線層における前記第1の電極に対する反対側の面に設けられた第1の金属ピラーと、
前記第2の配線層における前記第2の電極に対する反対側の面に設けられた第2の金属ピラーと、
前記第1の金属ピラーの側面と前記第2の金属ピラーの側面との間に設けられた第2の絶縁層と、
を備え、
前記第1の配線層の一部の端面は、前記第1の絶縁層もしくは前記第2の絶縁層から側方に露出し、前記第2の配線層のすべての端面は、前記第1の絶縁層もしくは前記第2の絶縁層で覆われたことを特徴とする半導体発光装置。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (9件)：
5F041AA42
, 5F041CA13
, 5F041CA40
, 5F041CA46
, 5F041CA76
, 5F041CA92
, 5F041CA93
, 5F041EE25
, 5F041FF11
