特許
J-GLOBAL ID：201403032570481678
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人快友国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-063793
公開番号（公開出願番号）：特開2014-192200
出願日： 2013年03月26日
公開日（公表日）： 2014年10月06日
要約：
【課題】炭化ケイ素を材料とし、トレンチゲートの底部の周囲にフローティング層を有する、高耐圧の半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】ドレイン層と、ドレイン層の表面に接するドリフト層と、ドリフト層の表面に接するボディ層と、ボディ層の表面の一部に設けられたソース層と、ドリフト層に周囲を囲まれているフローティング層と、を備え、炭化ケイ素を材料とする半導体基板と、底部がフローティング層に接するトレンチゲートと、を備えている半導体装置の製造方法を提供する。この製造方法は、半導体ウェハに、その短手方向の端部がその中央部よりも深い底部を有するトレンチを形成する第1工程と、第1工程の後で、トレンチの底部に、第2導電型の不純物イオンを注入する第2工程と、第2工程の後で、トレンチの短手方向の中央部を深くする第3工程と、を含む。【選択図】 図4
請求項（抜粋）：
第1導電型のドレイン層と、
ドレイン層の表面に接する第1導電型のドリフト層と、
ドリフト層の表面に接する第2導電型のボディ層と、
ボディ層の表面の一部に設けられた第1導電型のソース層と、
ドリフト層に周囲を囲まれている第2導電型のフローティング層と、を備え、炭化ケイ素を材料とする半導体基板と、
トレンチの内壁に形成されたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜の内側に配置されたゲート電極とを備え、底部がフローティング層に接するトレンチゲートと、
を備えた半導体装置の製造方法であって、
半導体ウェハに、その長手方向に垂直な短手方向の端部が中央部よりも深い底部を有するトレンチを形成する第1工程と、
第1工程の後で、トレンチの底部に、第2導電型の不純物イオンを注入する第2工程と、
第2工程の後で、トレンチの短手方向の中央部を深くする第3工程と、を含む、半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 29/78
, H01L 29/12
, H01L 21/336
H01L29/78 652J
, H01L29/78 652T
, H01L29/78 653A
, H01L29/78 658G
, H01L29/78 658A
