特許
J-GLOBAL ID：200903083052108800

炭化珪素半導体装置およびその製造方法

発明者：
奥野 英一

奥野 英一 について

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鈴木 巨裕

鈴木 巨裕 について

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加藤 信之

加藤 信之 について


出願人/特許権者：
株式会社デンソー

株式会社デンソー について


代理人 (3件)： 伊藤 洋二 ,  三浦 高広 ,  水野 史博
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-334104
公開番号（公開出願番号）：特開2009-158681
出願日： 2007年12月26日
公開日（公表日）： 2009年07月16日
要約：
【課題】トレンチの底部にボトムp型層を形成する場合のオン抵抗増大を防止できるようにする。【解決手段】トレンチ5の下部に形成するボトムp型層4のうちトレンチ5の角部5aに位置する部分の最も浅い位置が角部5aよりも内側に位置する部分の最も浅い位置よりも下方に位置する構造にする。これにより、従来のようにボトムp型層4の上面が平坦とされる場合と比較して、ボトムp型層4の端部からn型ドリフト層2に伸びる空乏層の上端が下方に下げられる。このため、従来と比べてボトムp型層4とp型ベース領域3からn型ドリフト層2に伸びる空乏層の間の間隔を広げることが可能となり、突き出し量Lが小さくなってもオン抵抗が増大することを抑制することが可能となる。したがって、トレンチ5の底部にボトムp型層4を形成する場合のオン抵抗増大を防止できる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
炭化珪素からなる第1導電型の基板(1)と、 前記基板(1)の上に形成され、前記基板(1)よりも低不純物濃度とされた炭化珪素からなる第1導電型のドリフト層(2)と、 前記ドリフト領域(2)の表面から形成されたトレンチ(5)と、 前記ドリフト層(2)内において前記トレンチ(5)を挟んだ両側に形成された第2導電型の炭化珪素からなるベース領域(3)と、 前記ベース領域(3)と前記トレンチ(5)の側面の間に配置された炭化珪素からなる第1導電型のチャネル(15)と、 前記ベース領域(3)の上部において前記トレンチ(5)の両側に配置され、前記ベース領域(3)および前記チャネル(15)を挟んで前記ドリフト層(2)と反対側に配置された炭化珪素からなる第1導電型のソース領域(6)と、 前記トレンチ(5)内において、前記チャネル(15)の表面に備えられたゲート絶縁膜(8)と、 前記トレンチ(5)内において、前記ゲート絶縁膜(8)の上に形成されたゲート電極(9)と、 前記ソース領域(6)に電気的に接続されたソース電極(12)と、 前記基板(1)の裏面側に形成されたドレイン電極(13)とを備え、 前記ゲート電極(9)への印加電圧を制御することにより、前記チャネル(15)、前記ソース領域(6)および前記ドリフト層(2)を介して、前記ソース電極(12)および前記ドレイン電極(13)の間に電流を流す蓄積型のMOSFETを備えた炭化珪素半導体装置であって、 前記トレンチ(5)の下部には、炭化珪素からなる第2導電型のボトム層(4)が形成されており、該ボトム層(4)のうち前記トレンチ(5)の底部の角部(5a)の下部に位置する部分の最も浅い位置が前記角部(5a)よりも内側に位置する部分の最も浅い位置よりも下方に位置していることを特徴とする炭化珪素半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 29/12 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/336
FI (9件)：
H01L29/78 652T ,  H01L29/78 653A ,  H01L29/78 652J ,  H01L29/78 658E ,  H01L29/78 658A ,  H01L29/78 658G ,  H01L29/78 658F ,  H01L29/78 652D ,  H01L29/78 654C
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (5件)
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