特許
J-GLOBAL ID：200903032207270150

炭化珪素半導体装置の製造方法

発明者：
河田 泰之

河田 泰之 について


出願人/特許権者：
富士電機デバイステクノロジー株式会社

富士電機デバイステクノロジー株式会社 について


代理人 (1件)： 山本 浩
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-137900
公開番号（公開出願番号）：特開2008-294210
出願日： 2007年05月24日
公開日（公表日）： 2008年12月04日
要約：
【目的】SiC半導体基板に10μmを超える深いトレンチエッチングを実用性の高いプロセスにすると共に、トレンチ底部を、電界集中を引き起こして耐圧特性に影響を及ぼす程度の鋭角を有する凹凸形状を形成することなく、平坦に整形することのできるドライエッチング工程を含む炭化珪素半導体装置の製造方法の提供。【構成】第一ドライエッチングはSF6、O2、Arの混合ガスを用い、該混合ガス中、Arは50%から80%の流量であり、SF6とO2の流量比はSF6がO2に対して50%から70%の流量比であって、エッチング時の炭化珪素半導体基板の温度を70°C〜100°Cに加熱しながら0.5Pa以下の雰囲気圧力でエッチングを行ない、第二ドライエッチングはAr、O2の混合ガスを用い、該混合ガス中Arは50%から80%の流量で、酸素プラズマ処理を行う炭化珪素半導体装置の製造方法とする。【選択図】 図11
請求項（抜粋）：
炭化珪素半導体基板表面に所要のパターンを有するSiO2膜マスクを形成し、該基板表面に高密度誘導結合プラズマを用いたドライエッチングにより10μm以上の深いトレンチを形成するドライエッチング工程が、エッチング条件の異なる第一ドライエッチングと第二ドライエッチングとをこの順に備える炭化珪素半導体装置の製造方法において、第一ドライエッチングのエッチング条件はエッチングガスにSF6、O2、Arの混合ガスを用い、該混合ガス中、Arは50%から80%の流量であり、SF6とO2の流量比はSF6がO2に対して50%から70%の流量比であって、エッチング時の前記炭化珪素半導体基板の温度を70°C〜100°Cに加熱しながら0.5Pa以下の雰囲気圧力でエッチングを行ない、第二ドライエッチングのエッチング条件はAr、O2の混合ガスを用い、該混合ガス中Arは50%から80%の流量であって、前記炭化珪素半導体基板の温度を70°C〜100°Cに加熱しながら0.5Pa以下の雰囲気圧力で酸素プラズマ処理を行うことを特徴とする炭化珪素半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/336 ,  H01L 29/78
FI (2件)：
H01L29/78 658G ,  H01L29/78 653A
引用特許：
出願人引用 (12件)
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