特許

J-GLOBAL ID：201403032759849951

トランジスタおよびその製造方法

発明者： 好田 誠 ,  永沼 博 ,  遠藤 恭 ,  関 剛斎 ,  宮崎 孝道
出願人/特許権者： 国立大学法人東北大学
代理人 (1件)： 片山 修平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-024970
公開番号（公開出願番号）：特開2014-154783
出願日： 2013年02月12日
公開日（公表日）： 2014年08月25日
要約：

【課題】チャネルに印加される電界によりスピン方向を変化させるトランジスタにおいて、チャネルに半導体を用いないトランジスタを提供すること。【解決手段】非磁性金属からなるチャネル層10と、前記チャネル層にスピン偏極したキャリアを注入するソース12と、前記チャネル層を走行する前記キャリアに対しスピン軌道相互作用による有効磁場を生じさせるゲート16と、前記チャネル層から前記キャリアを受けるドレイン14と、を具備することを特徴とするトランジスタ。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

非磁性金属からなるチャネル層と、 前記チャネル層にスピン偏極したキャリアを注入するソースと、 前記チャネル層を走行する前記キャリアに対しスピン軌道相互作用による有効磁場を生じさせるゲートと、 前記チャネル層から前記キャリアを受けるドレインと、 を具備することを特徴とするトランジスタ。

IPC (1件)：

H01L 29/82

FI (1件)：

H01L29/82 Z

Fターム (10件)：

5F092AA15 ,  5F092AC24 ,  5F092AD23 ,  5F092AD25 ,  5F092BD03 ,  5F092BD04 ,  5F092BD05 ,  5F092BD13 ,  5F092BD14 ,  5F092BD15