特許
J-GLOBAL ID：201403034902341894

ガス製造装置

発明者：
佐藤 尚俊

佐藤 尚俊 について


出願人/特許権者：
富士フイルム株式会社

富士フイルム株式会社 について

, 
人工光合成化学プロセス技術研究組合

人工光合成化学プロセス技術研究組合 について


代理人 (4件)： 渡辺 望稔 ,  三和 晴子 ,  伊東 秀明 ,  三橋 史生
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-068993
公開番号（公開出願番号）：特開2014-189883
出願日： 2013年03月28日
公開日（公表日）： 2014年10月06日
要約：
【課題】時間の経過によらず、高いガス生成効率を維持することができ、水素及び酸素のガスを完全に分離された高純度の気体として安定して製造することができるガス製造装置を提供する。【解決手段】pn接合を有する半導体薄膜が形成された複数の素子が直列に積層され、一方に受光部、他方に導電性基板を有する素子積層体と、受光部の側にある第1の素子の表面に形成される水素ガス生成部と、水素ガス生成部を含む第1の電解室と、導電性基板の裏面に形成される酸素ガス生成部と、酸素ガス生成部を含む第2の電解室と、第1の電解室と第2の電解室との間に設けられるイオン透過性、かつガス非透過性の隔膜とを有することにより、上記課題を解決する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
それぞれ、受光部を有し、pn接合を有する半導体薄膜が形成された複数の素子が直列に連なるように積層された素子積層体と、 前記複数の素子の中の、前記素子積層体の一方の端部にある第1の素子の表面に形成され、水素ガスを生成する水素ガス生成部と、 前記水素ガス生成部を含み、前記水素ガス生成部と接触する電解水溶液、及び生成される水素ガスを収容する第1の電解室と、 前記複数の素子の中の、前記素子積層体の他方の端部にある第2の素子の前記半導体薄膜が形成されている導電性基板の裏面に形成され、酸素ガスを生成する酸素ガス生成部と、 前記酸素ガス生成部を含み、前記酸素ガス生成部と接触する電解水溶液、及び生成される酸素ガスを収容する第2の電解室と、 前記第1の電解室と前記第2の電解室との間に設けられるイオン透過性、かつガス非透過性の隔膜とを有することを特徴とするガス製造装置。
IPC (2件)：
C25B 9/00 ,  C25B 11/06
FI (2件)：
C25B9/00 A ,  C25B11/06 B
Fターム (15件)：
4K011AA31 ,  4K011AA66 ,  4K011DA01 ,  4K021AA01 ,  4K021BA02 ,  4K021BC08 ,  4K021CA01 ,  4K021CA05 ,  4K021DB02 ,  4K021DB05 ,  4K021DB11 ,  4K021DB18 ,  4K021DB40 ,  4K021DC01 ,  4K021DC03
引用特許：
審査官引用 (4件)
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引用文献：
審査官引用 (1件)

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