特許
J-GLOBAL ID：201403036234812858
半導体光素子およびその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
ポレール特許業務法人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-047995
公開番号（公開出願番号）：特開2014-175526
出願日： 2013年03月11日
公開日（公表日）： 2014年09月22日
要約：
【課題】シリコン基板上に形成した単結晶ゲルマニウム層の結晶性を向上することでキャリア再結合・生成準位を低減し、光学および電気特性の向上が可能なゲルマニウム光素子を提供する。【解決手段】SOI(シリコン・オン・インシュレーター)層の側壁に面内で伸張歪を有する単結晶ゲルマニウム8を形成し、SOI層と単結晶ゲルマニウムの欠陥含有領域をエッチング除去することで、結晶性の良い単結晶ゲルマニウムからなる半導体光素子と単結晶シリコン3からなる細線導波路を同一基板上に形成できる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
基板上に形成された絶縁膜と、
該絶縁膜上に設けられた第1の単結晶半導体層と、
前記絶縁膜上に前記第1の単結晶半導体層とは隔てて設けられた前記第1の単結晶半導体層よりも格子定数の大きな第2の単結晶半導体層と、
前記第1の単結晶半導体層と前記第2の単結晶半導体層との間に設けられた絶縁層を具備し、
前記第2の単結晶半導体層が伸張歪を有し、
前記第1の単結晶半導体層と前記第2の単結晶半導体層とは電気的に絶縁されて光学的に結合される半導体光素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (19件)：
5F049MA04
, 5F049MA05
, 5F049MB03
, 5F049NA01
, 5F049NA05
, 5F049PA04
, 5F049PA14
, 5F049QA08
, 5F049RA07
, 5F049WA01
, 5F173AB03
, 5F173AB13
, 5F173AD11
, 5F173AD15
, 5F173AH34
, 5F173AP04
, 5F173AP12
, 5F173AP33
, 5F173AR82
