特許
J-GLOBAL ID：201403037759417999
化合物半導体単結晶、化合物半導体ウエハ、および化合物半導体単結晶の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
荒船 博司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-008944
公開番号（公開出願番号）：特開2014-141355
出願日： 2013年01月22日
公開日（公表日）： 2014年08月07日
要約：
【課題】InSbやGaSbといった低融点で低解離圧成分を有するIII-V族化合物半導体単結晶を基板とする素子において、優れた特性を有する素子を、大型の単結晶から一度に数多く製造できるようにする。【解決手段】内径6インチ超の円筒状の側壁を有する耐熱性の容器に原料を充填し、容器を炉に設置し、V族元素の蒸発を抑制するための封止剤を用いることなく炉内を加熱して、原料を融解させて融液にし、融液の温度が、下部から鉛直上方に向かって10°C/cm以下の割合で下がっていくように炉内の温度を制御し、容器内において、融液を、該融液の表面から下方に向かって1〜10mm/hの速度で凝固させていくことにより、単結晶を育成する。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
III-V族化合物半導体からなり、
直径6インチ以上の円柱状に形成され、
平均転位密度が800cm-2以下であることを特徴とする化合物半導体単結晶。
IPC (2件)：
FI (2件)：
C30B29/40 501C
, C30B11/02
4G077AA02
, 4G077AB01
, 4G077AB09
, 4G077BE41
, 4G077CD04
, 4G077CD08
, 4G077EC08
, 4G077EC10
, 4G077EH07
, 4G077HA02
, 4G077HA06
, 4G077MB08
, 4G077MB33
, 4G077MB35
