特許
J-GLOBAL ID：200903006560673519

化合物半導体単結晶とその製造方法

発明者：
川瀬 智博

川瀬 智博 について


出願人/特許権者：
住友電気工業株式会社

住友電気工業株式会社 について


代理人 (6件)： 深見 久郎 ,  森田 俊雄 ,  仲村 義平 ,  堀井 豊 ,  野田 久登 ,  酒井 將行
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-046112
公開番号（公開出願番号）：特開2006-232574
出願日： 2005年02月22日
公開日（公表日）： 2006年09月07日
要約：
【課題】 大口径で低転位密度の化合物半導体単結晶を高い生産性と高い歩留で提供する。【解決手段】 縦型の単結晶成長用容器8内に化合物半導体の種結晶13と原料を収容し、加熱手段によって種結晶の一部と原料を融解して実質的に化学量論組成に調整した原料融液17を作製し、種結晶の未融解部分から原料融液側に向かって結晶成長させる化合物半導体単結晶の製造方法において、化合物半導体の融点温度においてその結晶に比べて小さな熱伝導率を有する部材11を単結晶成長用容器の外周に配置し、原料融液の温度を降下させることによって結晶成長を進行させるとを特徴とする。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
縦型の単結晶成長用容器内に化合物半導体の種結晶と原料を収容し、加熱手段によって前記種結晶の一部と前記原料を融解して実質的に化学量論組成に調整した原料融液を作製し、前記種結晶の未融解部分から前記原料融液側に向かって結晶成長させる化合物半導体単結晶の製造方法において、前記化合物半導体の融点温度においてその結晶に比べて小さな熱伝導率を有する部材を前記単結晶成長用容器の外周に配置し、前記原料融液の温度を降下させることによって前記結晶成長を進行させるとを特徴とする化合物半導体単結晶の製造方法。
IPC (4件)：
C30B 29/40 ,  C30B 11/00 ,  C30B 29/42 ,  C30B 29/44
FI (4件)：
C30B29/40 501C ,  C30B11/00 Z ,  C30B29/42 ,  C30B29/44
Fターム (11件)：
4G077AA02 ,  4G077BE44 ,  4G077BE46 ,  4G077CD02 ,  4G077CD04 ,  4G077CD08 ,  4G077EA01 ,  4G077EG02 ,  4G077EG15 ,  4G077MA02 ,  4G077MA05
引用特許：
出願人引用 (4件)
  • 単結晶を製造するための装置
    公報種別：公表公報   出願番号：特願2000-606812   出願人：フライベルガー・コンパウンド・マテリアルズ・ゲゼルシャフト・ミット・ベシュレンクテル・ハフツング, フォルシュングスツェントルムユーリッヒゲゼルシャフトミットベシュレンクテルハフツング
  • 混晶半導体単結晶の成長方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-156823   出願人：住友電気工業株式会社
  • 半導体結晶の成長方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-116003   出願人：住友電気工業株式会社
全件表示
審査官引用 (4件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM