Cu-Te合金系焼結体スパッタリングターゲットの製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小越勇
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-532601
特許番号：特許第5457609号
出願日： 2012年09月04日
請求項（抜粋）：

【請求項1】Te:40〜90at%、残部不可避的不純物とCuからなるCu-Te合金系焼結体スパッタリングターゲットの製造方法であって、TeとCuの原料を900〜1100°Cで溶解する工程、340〜450°Cまで自然放冷し、凝固させてインゴットを製造する工程、当該インゴットを粉砕し平均粒径を2〜3μmの粉末とする工程、この粉砕した粉末をホットプレス及び表面加工を施してターゲットにする工程からなり、該ターゲットに存在するCu、Te又はこれらの金属間化合物からなる偏析部の最大径を20μm以下とすることを特徴とするCu-Te合金系焼結体スパッタリングターゲットの製造方法。

IPC (3件)：