特許
J-GLOBAL ID：200903022567390518
記憶素子および記憶装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
藤島 洋一郎
, 三反崎 泰司
, 長谷部 政男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-204032
公開番号（公開出願番号）：特開2009-043758
出願日： 2007年08月06日
公開日（公表日）： 2009年02月26日
要約：
【課題】抵抗変化型の記憶素子または記憶装置において、記憶および消去状態の抵抗値の保持能力を向上させると共に、多値記憶を可能とする。【解決手段】下部電極1と上部電極4との間に、高抵抗層2およびイオン化層3からなる記憶層5を有する。イオン化層3は、S(硫黄),Se(セレン)およびTe(テルル)(カルコゲナイド元素)などのイオン伝導材料と共に、金属元素としてCu(銅)およびZr(ジルコニウム)を含有している。具体的には、CuTeZr,CuSZr,CuSeZrである。イオン化層3にはSi(シリコン)を含めてもよい。イオン化層3にZrが含まれていることにより、素子が取りうる全域の抵抗値の保持性能が向上すると共に、、多値記録が可能になる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
第1電極と第2電極との間にイオン化層を含む記憶層を有し、前記記憶層の電気的特性の変化により情報を記憶する記憶素子であって、
前記イオン化層に、イオン伝導材料と共に金属元素として少なくともZr(ジルコニウム)が添加されている
ことを特徴とする記憶素子。
IPC (3件)：
H01L 27/10
, H01L 45/00
, H01L 49/00
H01L27/10 451
, H01L45/00 Z
, H01L49/00 Z
5F083FZ10
, 5F083GA21
, 5F083JA35
, 5F083JA36
, 5F083JA37
, 5F083JA39
, 5F083JA40
, 5F083MA06
, 5F083MA19
, 5F083ZA21
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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