特許

J-GLOBAL ID：201403038567510436

トンネリング電界効果トランジスタおよびトンネリング電界効果トランジスタの製造方法

発明者： 姜 仁晩 ,  李 在盛
出願人/特許権者： 慶北大學校産學協力團
代理人 (3件)： 青木 宏義 ,  天田 昌行 ,  守屋 芳隆
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-257656
公開番号（公開出願番号）：特開2014-120777
出願日： 2013年12月13日
公開日（公表日）： 2014年06月30日
要約：

【課題】トンネリング電界効果トランジスタの動作電流を増加させる構造を提供する。【解決手段】基板100上に形成される第1電極ソ-ス110aと、基板100を基準に、第1電極110aの上側に位置する第2電極ドレイン130aと、第1電極ソ-ス110aと第2電極ドレイン130aとを連結するチャネル層120aと、チャネル層120aの側壁に形成される複数の第3電極ゲート150aとで構成され、複数の第3電極150aは、互いに異なる極性の電圧により駆動する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板上に形成される第1電極と、 前記基板を基準に、前記第1電極の上側に位置する第2電極と、 前記第1電極と第2電極とを連結するチャネル層と、 前記チャネル層の側壁に形成される複数の第3電極と、を含み、 前記チャネル層は、前記基板を基準に前記第3電極より高く形成されることを特徴とするトンネリング電界効果トランジスタ。

IPC (3件)：

H01L 21/336 ,  H01L 29/78 ,  H01L 29/66

FI (3件)：

H01L29/78 301J ,  H01L29/66 T ,  H01L29/78 301X

Fターム (7件)：

5F140AA01 ,  5F140AA29 ,  5F140AC13 ,  5F140BB04 ,  5F140BE10 ,  5F140BF44 ,  5F140BF47

引用特許：

審査官引用 (2件)

• ゲートトンネル障壁を持つトンネル電界効果トランジスタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2008-057424   出願人：アンテルユニヴェルシテール・ミクロ-エレクトロニカ・サントリュム・ヴェー・ゼッド・ドゥブルヴェ, カトリーケ・ウニフェルジテイト・ルーベン・カー・イュー・ルーベン・リサーチ・アンド・ディベロップメント
• ナノFinトンネリング・トランジスタ
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2009-504239   出願人：マイクロンテクノロジー,インク.

引用文献：

審査官引用 (2件)

• Electron-Hole Bilayer Tunnel FET for SteepSubthreshold Swing and Improved ON Current
• Electron-Hole Bilayer Tunnel FET for SteepSubthreshold Swing and Improved ON Current