特許
J-GLOBAL ID：201403039753312438
半導体試料における結晶欠陥解析方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人ゆうあい特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-251451
公開番号（公開出願番号）：特開2014-099561
出願日： 2012年11月15日
公開日（公表日）： 2014年05月29日
要約：
【課題】正確に結晶欠陥が存在する位置を特定することが可能な半導体試料における結晶欠陥解析方法を提供する。【解決手段】透過電子顕微鏡観察とラマン分光測定により、結晶欠陥2を映し出した透過電子顕微鏡画像および半導体基板1aとエピタキシャル層1bとの境界位置が表された光強度マッピング像とを取得し、これらを重ね合わせた合成画像を作成する。この合成画像から結晶欠陥2が半導体基板1aとエピタキシャル層1bのいずれに位置しているかを同定する。これにより、正確に結晶欠陥が存在する位置を特定することができる。【選択図】図6
請求項（抜粋）：
半導体基板(1a)の上に該半導体基板よりも低不純物濃度とされたエピタキシャル層(1b)を形成した半導体試料(1)に存在する結晶欠陥(2)の深さ位置を解析する半導体試料における結晶欠陥解析方法であって、
前記半導体試料のうち結晶欠陥が含まれた部分を切り出すことで薄片化した観察試料(3)を作成する工程と、
前記観察試料に対して透過電子顕微鏡観察を行うことによって結晶欠陥を表した結晶欠陥像を取得する工程と、
前記観察試料に対して刺激を与えることで該観察試料から不純物濃度に応じた光を生じさせ、該光を検知して前記観察試料の光強度マッピング像を取得する工程と、
前記結晶欠陥像と前記光強度マッピング像とを重ね合わせた合成画像に基づいて、前記結晶欠陥の起点が前記半導体基板と前記エピタキシャル層のいずれに存在しているかを解析する工程とを含むことを特徴とする半導体試料における結晶欠陥解析方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (16件)：
2G001AA03
, 2G001BA11
, 2G001CA03
, 2G001DA09
, 2G001GA12
, 2G001HA13
, 2G001KA03
, 2G001LA11
, 4M106AA01
, 4M106BA02
, 4M106BA05
, 4M106BA20
, 4M106CA18
, 4M106CA19
, 4M106CA51
, 4M106CB19
