特許
J-GLOBAL ID：201103073129235307
炭化珪素バルク単結晶基板の欠陥検査方法、及びこの方法を用いた炭化珪素バルク単結晶基板の欠陥検査システム、並びに欠陥情報付き炭化珪素バルク単結晶基板
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
佐々木 一也
, 成瀬 勝夫
, 中村 智廣
, 鳥野 正司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-088083
公開番号（公開出願番号）：特開2011-220744
出願日： 2010年04月06日
公開日（公表日）： 2011年11月04日
要約：
【課題】窒素ドープされた4H型SiCバルク単結晶基板に含まれる6H型積層欠陥を検出できる基板の欠陥検査方法、及びこれを用いた基板の欠陥検査システム、並びに欠陥情報付きのSiCバルク単結晶基板を提供する。【解決手段】基板の表面に、波長200nm以上390nm以下の紫外線を照射し、該基板から発光して得られるフォトルミネッセンス光から、少なくとも600nm未満の光を遮断して長波長側のフォトルミネッセンス像を得て、このフォトルミネッセンス像において、隣接する部位との明暗の差から、明るい部位を6H型の積層欠陥を含んだ欠陥領域として判別するSiCバルク単結晶基板の欠陥検査方法であり、また、この方法を用いた基板の欠陥検査システム、及び、これにより得られた欠陥情報付きのSiCバルク単結晶基板である。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
0°よりも大きなオフ角度を有し、かつ、窒素がドープされた4H型炭化珪素バルク単結晶基板の表面に、波長200nm以上390nm以下の紫外線を照射し、該基板から発光して得られるフォトルミネッセンス光から、少なくとも600nm未満の光を遮断して長波長側のフォトルミネッセンス像を得て、このフォトルミネッセンス像において、隣接する部位との明暗の差から、明るい部位を6H型の積層欠陥を含んだ欠陥領域として判別することを特徴とする、炭化珪素バルク単結晶基板の欠陥検査方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
G01N21/64 Z
, H01L21/66 N
2G043AA03
, 2G043CA05
, 2G043EA01
, 2G043EA03
, 2G043FA01
, 2G043JA03
, 2G043KA01
, 2G043KA02
, 2G043KA03
, 2G043LA03
, 2G043LA05
, 2G043NA06
, 4M106AA01
, 4M106BA04
, 4M106CA18
, 4M106CB19
