特許
J-GLOBAL ID：201403039769227945
半導体デバイスの製造方法
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (5件)：
小島 隆司
, 重松 沙織
, 小林 克成
, 石川 武史
, 正木 克彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-210132
公開番号（公開出願番号）：特開2014-003340
出願日： 2013年10月07日
公開日（公表日）： 2014年01月09日
要約：
【解決手段】表面に平坦化処理を施した厚さ100〜400μmの元基板の平坦化処理を施した表面から水素イオン等を注入してイオン注入層を形成する工程、その後、元基板を熱処理することでイオン注入層において元基板を分離して元基板表面と略平行な断面を有する2枚の分離基板を得る工程、2枚の分離基板をこれとは異なる導電型のドーパント存在下で熱処理して該2枚の分離基板それぞれの元基板の表面又は裏面であった表面にドーパントを拡散させたドーパント拡散層を形成する工程、及び分離基板表面にドーパント拡散層と電気的に接続する電極を形成する工程を含む半導体デバイスの製造方法。【効果】イオン注入分離法により半導体基板を得ることで、スライス法に比べて結晶カーフロスを低減でき、分離熱処理が終わるまで基板の機械的強度を高く保てるため歩留りを改善できる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
表面に平坦化処理を施した厚さ100〜400μmの半導体基板である元基板の上記平坦化処理を施した表面から所定深さまで水素イオン又は希ガスイオンを注入してイオン注入層を形成する工程、
その後、上記元基板を熱処理することで、上記イオン注入層において上記元基板を分離して上記元基板表面と略平行な断面を有する2枚の分離基板を得る工程、
上記2枚の分離基板をこれとは異なる導電型のドーパント存在下で熱処理して該2枚の分離基板それぞれの上記元基板の表面又は裏面であった表面に上記ドーパントを拡散させたドーパント拡散層を形成する工程、及び
上記分離基板表面に上記ドーパント拡散層と電気的に接続する電極を形成する工程
を含むことを特徴とする半導体デバイスの製造方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (8件)：
5F151AA02
, 5F151CB19
, 5F151FA10
, 5F151FA13
, 5F151FA15
, 5F151GA04
, 5F151GA15
, 5F151HA03
