太陽電池素子の製造方法

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-189487
公開番号（公開出願番号）：特開2007-266649
出願日： 2007年07月20日
公開日（公表日）： 2007年10月11日
要約：

【課題】表面が微細な凹凸構造を有するシリコン基板上に形成される反射防止膜のパターニングが煩雑であったり、反射防止膜上に直接形成される電極強度が低下するという問題があった。【解決手段】本発明の太陽電池素子の製造方法は、第1の導電型半導体不純物を含有するシリコン基板を準備する工程と、シリコン基板の第1の面に反応性イオンエッチングを行う工程と、シリコン基板の第1の面に反射防止膜を形成する工程と、反射防止膜に銀ペーストを印刷し焼成する工程と、を有する。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

第1の導電型半導体不純物を含有するシリコン基板を準備する工程と、前記シリコン基板の第1の面に反応性イオンエッチングを行う工程と、前記シリコン基板の前記第1の面に反射防止膜を形成する工程と、前記反射防止膜に銀ペーストを印刷する工程と、前記銀ペーストを有する前記シリコン基板を焼成する工程と、を有することを特徴とする太陽電池素子の製造方法。

IPC (1件)：

H01L 31/04

FI (1件)：

H01L31/04 A

Fターム (9件)：

5F051AA02 , 5F051AA03 , 5F051BA14 , 5F051CB20 , 5F051CB22 , 5F051DA03 , 5F051FA10 , 5F051HA03 , 5F051HA07

引用特許：

審査官引用 (5件)

太陽電池素子の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-041617 出願人：京セラ株式会社
太陽電池の半田部形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-003239 出願人：三洋電機株式会社
特表平7-501184

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引用文献：

審査官引用 (2件)

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