特許
J-GLOBAL ID：201403040188700702
炭化珪素半導体装置の製造方法及び炭化珪素半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
稲葉 忠彦
, 村上 加奈子
, 松井 重明
, 倉谷 泰孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-267503
公開番号（公開出願番号）：特開2014-116365
出願日： 2012年12月06日
公開日（公表日）： 2014年06月26日
要約：
【課題】製造工程数の増加を抑制するとともに、半導体基板に対する合金層のオーミック特性の劣化を抑制することができる炭化珪素半導体の製造方法を提供する。【解決手段】炭化珪素からなる半導体基板11上に、第一の金属からなる金属層30を形成する工程と、金属層30上に第二の金属を窒化した金属窒化膜40を形成する工程と、金属窒化膜40を介してレーザ光を照射し半導体基板11の炭化珪素と金属層30の第一の金属との合金層31を形成する工程と、金属窒化膜40上に電極20を形成する工程とを備えた炭化珪素半導体装置の製造方法とする。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
炭化珪素からなる半導体基板上に、第一の金属からなる金属層を形成する工程と、
前記金属層上に第二の金属を窒化した金属窒化膜を形成する工程と、
前記金属窒化膜を介してレーザ光を照射し、前記半導体基板の炭化珪素と前記金属層の前記第一の金属との合金層を形成する工程と、
前記金属窒化膜上に電極を形成する工程と、
を備えたことを特徴とする炭化珪素半導体装置の製造方法。
IPC (1件)：
FI (3件)：
H01L21/28 B
, H01L21/28 301B
, H01L21/28 301S
4M104AA03
, 4M104BB05
, 4M104BB14
, 4M104BB21
, 4M104BB25
, 4M104BB26
, 4M104BB27
, 4M104BB28
, 4M104BB29
, 4M104BB30
, 4M104CC01
, 4M104DD02
, 4M104DD78
, 4M104DD84
, 4M104DD85
, 4M104EE18
, 4M104FF02
, 4M104FF13
, 4M104FF35
, 4M104GG03
, 4M104GG14
, 4M104HH15
, 4M104HH20
出願人引用 (8件)
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審査官引用 (8件)
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