半導体装置

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出願人/特許権者：
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-167978
公開番号（公開出願番号）：特開2012-216872
特許番号：特許第5326027号
出願日： 2012年07月30日
公開日（公表日）： 2012年11月08日
請求項（抜粋）：

【請求項1】絶縁表面上の第1の電極及び第2の電極と、前記絶縁表面上、前記第1の電極上及び前記第2の電極上のカラーフィルタと、前記カラーフィルタ上のオーバーコート層と、前記オーバーコート層上の光電変換層と、を有し、前記光電変換層は、前記オーバーコート層上の第1の半導体膜と、前記第1の半導体膜上の第2の半導体膜と、前記第2の半導体膜上の第3の半導体膜と、を有し、前記第1の半導体膜は一導電型を有し、前記第3の半導体膜は前記第1の半導体膜とは逆の導電型を有し、前記第1の半導体膜は前記第1の電極と電気的に接続され、前記第1の電極は、前記カラーフィルタの一方の端部及び前記光電変換層の一方の端部と重なり、前記第2の電極は、前記カラーフィルタの他方の端部及び前記光電変換層の他方の端部と重なることを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 31/10 ( 200 6.01) , H01L 27/146 ( 200 6.01)

FI (2件)：

H01L 31/10 A , H01L 27/14 C

引用特許：

出願人引用 (6件)

特開平3-268369
特開昭61-199676
特開平4-124883

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