特許
J-GLOBAL ID:200903086816598564
光センサー装置および電子機器
発明者:
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出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2004-269801
公開番号(公開出願番号):特開2005-129909
出願日: 2004年09月16日
公開日(公表日): 2005年05月19日
要約:
【課題】 アモルファスシリコンフォトダイオードを用いた光センサー装置では、センサー素子の電流能力が小さいため、増幅器ICなどの回路を外部接続し、負荷の駆動能力を高める必要があった。それによって、光センサー装置のコストおよび実装面積を増加させていた。また、プリント基板上でフォトダイオードと増幅器ICを接続するため、ノイズの重畳が問題となっていた。【解決方法】 本発明は、基板上にアモルファスシリコンフォトダイオードと薄膜トランジスタで構成した増幅器を一体形成し、負荷駆動能力を向上させ、且つ、コストおよび実装面積を低減する。また、ノイズの重畳を低減することができる。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
光センサー素子と増幅回路を有する光センサー装置において、
前記光センサー素子と前記増幅回路は基板上に一体形成されていることを特徴とした光
センサー装置。
IPC (3件):
H01L31/10
, H01L27/146
, H01L29/786
FI (3件):
H01L31/10 G
, H01L27/14 C
, H01L29/78 613Z
Fターム (27件):
4M118AA10
, 4M118AB01
, 4M118BA05
, 4M118CA03
, 4M118CB06
, 4M118CB07
, 4M118CB14
, 4M118DD09
, 4M118DD10
, 4M118FB13
, 4M118GD15
, 5F049MA02
, 5F049MB05
, 5F049NA04
, 5F049NB07
, 5F049UA12
, 5F049UA13
, 5F049UA17
, 5F049WA03
, 5F110AA04
, 5F110AA30
, 5F110BB09
, 5F110CC02
, 5F110DD01
, 5F110EE38
, 5F110NN03
, 5F110NN71
引用特許:
出願人引用 (2件)
審査官引用 (9件)
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特開昭62-124770
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受光回路
公報種別:公開公報
出願番号:特願平4-184969
出願人:日本電信電話株式会社
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特開平1-289381
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特開平1-257368
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受光アンプ回路
公報種別:公開公報
出願番号:特願2001-394724
出願人:シャープ株式会社
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特開平4-304011
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単一光子読出回路
公報種別:公開公報
出願番号:特願平10-220151
出願人:ロックウェル・サイエンス・センター・リミテッド・ライアビリティ・カンパニー
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光電変換回路
公報種別:公開公報
出願番号:特願平10-007035
出願人:三菱電機株式会社
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光検出回路
公報種別:公開公報
出願番号:特願2002-051979
出願人:株式会社東芝, 東芝マイクロエレクトロニクス株式会社
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