特許

J-GLOBAL ID：201403041263437695

半導体装置

発明者： 伊倉 巧裕
出願人/特許権者： 次世代パワーデバイス技術研究組合
代理人 (2件)： 酒井 宏明 ,  田代 至男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-224356
公開番号（公開出願番号）：特開2014-078565
出願日： 2012年10月09日
公開日（公表日）： 2014年05月01日
要約：

【課題】耐圧性の低下が抑制されつつリーク電流が効果的に抑制された半導体装置を提供すること。【解決手段】基板上に形成されIII族窒化物系化合物半導体で構成された電子走行層と、前記電子走行層上に形成され該電子走行層よりもバンドギャップエネルギーが高いIII族窒化物系化合物半導体で構成された電子供給層と、前記電子供給層上に形成され該電子供給層よりもバンドギャップエネルギーが低く非p型のIII族窒化物系化合物半導体で構成されたフィールドプレート層と、前記電子走行層の前記電子供給層との界面に発生する2次元電子ガス層とオーミック接触するように形成された第1電極と、前記2次元電子ガス層とショットキー接触するように形成された第2電極とを備え、前記第2電極は、前記フィールドプレート層の前記電子供給層との界面に発生する2次元ホールガスと、前記フィールドプレート層の側壁においてオーミック接触する半導体装置。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板上に形成され、III族窒化物系化合物半導体で構成された電子走行層と、 前記電子走行層上に形成され、該電子走行層よりもバンドギャップエネルギーが高いIII族窒化物系化合物半導体で構成された電子供給層と、 前記電子供給層上に形成され、該電子供給層よりもバンドギャップエネルギーが低く、非p型のIII族窒化物系化合物半導体で構成されたフィールドプレート層と、 前記電子走行層の前記電子供給層との界面に発生する2次元電子ガス層とオーミック接触するように形成された第1電極と、 前記2次元電子ガス層とショットキー接触するように形成された第2電極と、 を備え、前記第2電極は、前記フィールドプレート層の前記電子供給層との界面に発生する2次元ホールガスと、前記フィールドプレート層の側壁においてオーミック接触することを特徴とする半導体装置。

IPC (7件)：

H01L 29/872 ,  H01L 29/47 ,  H01L 29/06 ,  H01L 29/41 ,  H01L 29/812 ,  H01L 29/778 ,  H01L 21/338

FI (6件)：

H01L29/48 F ,  H01L29/06 301F ,  H01L29/48 D ,  H01L29/44 Y ,  H01L29/80 H ,  H01L29/80 B

Fターム (35件)：

4M104AA04 ,  4M104AA07 ,  4M104BB05 ,  4M104BB14 ,  4M104CC01 ,  4M104CC03 ,  4M104DD96 ,  4M104FF04 ,  4M104FF08 ,  4M104FF09 ,  4M104FF10 ,  4M104FF17 ,  4M104FF27 ,  4M104FF32 ,  4M104GG03 ,  4M104HH20 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ03 ,  5F102GJ10 ,  5F102GK04 ,  5F102GK08 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GN04 ,  5F102GN08 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR04 ,  5F102GR12 ,  5F102GS01 ,  5F102GS04 ,  5F102GS06 ,  5F102GT01 ,  5F102GV08

引用特許：

審査官引用 (3件)

• デュアル・デプレションを示す高電子移動度トランジスタ及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2011-045430   出願人：三星電子株式会社
• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2009-243369   出願人：サンケン電気株式会社
• ヘテロ接合電界効果トランジスタ及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2012-101292   出願人：三菱電機株式会社