デュアル・デプレションを示す高電子移動度トランジスタ及びその製造方法

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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：渡邊隆 , 実広信哉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-045430
公開番号（公開出願番号）：特開2011-181934
出願日： 2011年03月02日
公開日（公表日）： 2011年09月15日
要約：

【課題】デュアル・デプレションを示す高電子移動度トランジスタ及びその製造方法を提供する。【解決手段】互いに異なる極性を有する複数の半導体層20,22を含み、ソース電極28とドレイン電極32との間にデュアル・デプレション領域が存在し、該複数の半導体層は、上部物質層26、中間物質層22、下部物質層20を含み、中間物質層の極性は、上部物質層及び下部物質層の極性と異なる高電子移動度トランジスタである。【選択図】図6

請求項（抜粋）：

ソース電極、ゲート電極及びドレイン電極を含み、互いに異なる分極率を有する複数の半導体層を含み、前記ソース電極と前記ドレイン電極との間に、デュアル・デプレション領域が存在する高電子移動度トランジスタ。

IPC (5件)：

H01L 21/338 , H01L 29/778 , H01L 29/812 , H01L 21/28 , H01L 29/41

FI (3件)：

H01L29/80 H , H01L21/28 301B , H01L29/44 L

Fターム (31件)：

4M104AA04 , 4M104AA07 , 4M104BB02 , 4M104BB05 , 4M104BB06 , 4M104BB14 , 4M104BB18 , 4M104BB28 , 4M104FF06 , 4M104FF26 , 4M104GG12 , 4M104GG18 , 4M104HH20 , 5F102FA01 , 5F102GA01 , 5F102GA03 , 5F102GB01 , 5F102GC01 , 5F102GD01 , 5F102GD10 , 5F102GL04 , 5F102GL08 , 5F102GL14 , 5F102GM04 , 5F102GQ01 , 5F102GQ03 , 5F102GR06 , 5F102GR11 , 5F102GR13 , 5F102GT03 , 5F102HC01

引用特許：

審査官引用 (5件)

リサーフ構造を用いた窒化物半導体ヘテロ接合トランジスタ
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-328222 出願人：独立行政法人産業技術総合研究所
GaN系半導体素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-185282 出願人：株式会社東芝
後面にドナーをドープしたヘテロ構造
公報種別：公表公報出願番号：特願2002-500626 出願人：エルハルドコーン

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