特許
J-GLOBAL ID:201403042034092400

大面積ドメイン有機半導体結晶膜の作成方法及び大面積ドメイン有機半導体結晶膜

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2013-094386
公開番号(公開出願番号):特開2014-216568
出願日: 2013年04月26日
公開日(公表日): 2014年11月17日
要約:
【課題】所望の場所にパターン形成可能な大面積ドメイン有機半導体結晶膜を作成する方法及び大面積ドメイン有機半導体結晶膜を提供する。【解決手段】種結晶部21と、前記種結晶部21に接続された結晶成長部22と、を有する結晶成長用基板11を用い、前記種結晶部21に有機半導体溶液を塗布しながら乾燥させて、種結晶を作成してから、前記結晶成長部22で前記種結晶を成長させて、大面積ドメイン有機半導体結晶膜41を作成する。【選択図】図1
請求項(抜粋):
種結晶部と、前記種結晶部に接続された結晶成長部と、を有する結晶成長用基板を用い、前記種結晶部に有機半導体溶液を塗布しながら乾燥させて、種結晶を作成してから、前記結晶成長部で前記種結晶を成長させて、大面積ドメイン有機半導体結晶膜を作成することを特徴とする大面積ドメイン有機半導体結晶膜の作成方法。
IPC (6件):
H01L 51/40 ,  C30B 29/54 ,  C30B 7/02 ,  H01L 51/05 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/368
FI (6件):
H01L29/28 310J ,  C30B29/54 ,  C30B7/02 ,  H01L29/28 100A ,  H01L21/20 ,  H01L21/368 L
Fターム (24件):
4G077AA03 ,  4G077BF01 ,  4G077ED01 ,  4G077EG25 ,  4G077HA06 ,  5F053AA06 ,  5F053DD19 ,  5F053FF01 ,  5F053GG01 ,  5F053HH01 ,  5F053HH04 ,  5F053LL10 ,  5F053PP01 ,  5F053PP03 ,  5F053PP07 ,  5F152AA03 ,  5F152AA07 ,  5F152BB02 ,  5F152CC08 ,  5F152CD13 ,  5F152CD23 ,  5F152CE01 ,  5F152CE18 ,  5F152CE22
引用特許:
審査官引用 (2件)

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