特許
J-GLOBAL ID：200903084242480206

電界効果トランジスタ及びその製造方法

発明者：
藤森 正成

藤森 正成 について

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橋詰 富博

橋詰 富博 について

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安藤 正彦

安藤 正彦 について


出願人/特許権者：
株式会社日立製作所

株式会社日立製作所 について


代理人 (1件)： 井上 学
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-121540
公開番号（公開出願番号）：特開2007-294704
出願日： 2006年04月26日
公開日（公表日）： 2007年11月08日
要約：
【課題】 従来の有機TFTに比べチャネルを伝導するキャリアの移動度が大きな値を持つTFTの製造方法を提供すること。【解決手段】 基板上にパターニングしたゲート電極が設けられ、前記基板上および前記ゲート電極上にゲート絶縁膜が設けられ、 前記ゲート絶縁膜上にソース電極およびドレイン電極が離間して設けられ、 前記ソース電極と前記ドレイン電極との間にはチャネルとなるべき領域が設けられ、 その領域と、前記ソース電極又は前記ドレイン電極のいずれか一方との境界線は直線状であり、 前記その領域と、前記ドレイン電極又は前記ソース電極のいずれか一方との境界線は非直線状であり、かつ、その境界線は連続的又は不連続的な形状であって、かつ、その境界部分は複数個の凹部を有し、 前記その領域表面は親水性を有し、前記その領域の周囲領域は撥水性を有する部材を準備し、 前記その領域に有機分子を含有した溶液を供給し、前記溶液を乾燥することを特徴とする電界効果トランジスタの製造方法である。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
基板上にパターニングしたゲート電極が設けられ、前記基板上および前記ゲート電極上にゲート絶縁膜が設けられ、 前記ゲート絶縁膜上にソース電極およびドレイン電極が離間して設けられ、 前記ソース電極と前記ドレイン電極との間にはチャネルとなるべき領域を有し、 その領域と、前記ソース電極又は前記ドレイン電極のいずれか一方との第1の境界線は直線状であり、 前記その領域と、前記ドレイン電極又は前記ソース電極のいずれか一方との第2の境界線は非直線状であり、かつ、前記第2の境界線は連続的又は不連続的であって、かつ、その境界部分は複数個の凹部を有し、 前記その領域表面は他の領域よりも高い親水性を有し、前記その領域の周囲領域は前記その領域よりも高い撥水性を有する部材を準備し、 前記その領域に半導体有機分子を含有した溶液を供給し、前記溶液を乾燥することを特徴とする電界効果トランジスタの製造方法。
IPC (7件)：
H01L 29/786 ,  H01L 51/05 ,  H01L 51/40 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/288 ,  H01L 29/417 ,  H01L 21/336
FI (8件)：
H01L29/78 616T ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/28 100A ,  H01L29/28 310J ,  H01L21/28 301B ,  H01L21/288 Z ,  H01L29/50 M ,  H01L29/78 618A
Fターム (26件)：
4M104AA09 ,  4M104BB06 ,  4M104BB08 ,  4M104BB09 ,  4M104CC01 ,  4M104CC05 ,  4M104DD51 ,  4M104DD78 ,  4M104FF11 ,  4M104GG08 ,  4M104HH15 ,  5F110AA01 ,  5F110BB01 ,  5F110CC03 ,  5F110DD01 ,  5F110EE24 ,  5F110FF01 ,  5F110FF27 ,  5F110GG05 ,  5F110GG17 ,  5F110GG42 ,  5F110HK02 ,  5F110HK42 ,  5F110HM04 ,  5F110NN72 ,  5F110QQ12
引用特許：
出願人引用 (4件)
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