特許
J-GLOBAL ID：201403042300549101

スピントランスファートルク磁気メモリデバイス

発明者：
バルト・ソレ

バルト・ソレ について

, 
マルク・ヘインス

マルク・ヘインス について

, 
ジェフリー・プルトワ

ジェフリー・プルトワ について


出願人/特許権者：
アイメック

アイメック について


代理人 (3件)： 山田 卓二 ,  田中 光雄 ,  竹内 三喜夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-190354
公開番号（公開出願番号）：特開2014-110419
出願日： 2013年09月13日
公開日（公表日）： 2014年06月12日
要約：
【課題】より効率的なSTT磁気メモリデバイスを提供する。【解決手段】トポロジカル絶縁体層(4)および絶縁体層(5)の交互配列した層を含む第1層構造(6)および第2層構造(7)と、第1層構造(6)と第2層構造(7)との間に挟まれ、デバイスの値を表す磁化方向を有する磁気材料(2)とを備え、第1層構造(6)および第2層構造(7)の各トポロジカル絶縁体層(4)は、磁気材料と直接接触しているスピントランスファートルク磁気メモリデバイス(1)が開示される。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
・トポロジカル絶縁体層(4)および絶縁体層(5)の交互配列した層を含む第1層構造(6)および第2層構造(7)と、 ・第1層構造(6)と第2層構造(7)との間に挟まれ、デバイスの値を表す磁化方向を有する磁気材料(2)とを備え、 第1層構造(6)および第2層構造(7)の各トポロジカル絶縁体層(4)は、磁気材料と直接接触している、スピントランスファートルク磁気メモリデバイス(1)。
IPC (5件)：
H01L 27/105 ,  H01L 21/824 ,  H01L 29/82 ,  H01L 43/08 ,  H01L 43/12
FI (4件)：
H01L27/10 447 ,  H01L29/82 Z ,  H01L43/08 Z ,  H01L43/12
Fターム (13件)：
4M119AA17 ,  4M119CC05 ,  4M119DD05 ,  4M119DD26 ,  5F092AA15 ,  5F092AB06 ,  5F092AC04 ,  5F092AD25 ,  5F092BB42 ,  5F092BB44 ,  5F092BB45 ,  5F092BC42 ,  5F092BC43
引用特許：
審査官引用 (4件)
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