特許
J-GLOBAL ID：200903042142663058
低消費電力磁気メモリ及び磁化情報書き込み装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
,
代理人 (1件)：
平木 祐輔
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-279648
公開番号（公開出願番号）：特開2006-093578
出願日： 2004年09月27日
公開日（公表日）： 2006年04月06日
要約：
【課題】超低消費電力な高集積磁気メモリを提供する。【解決手段】自由層311と、自由層の膜厚方向に形成された第一の固定層313と、自由層と第一の固定層との間に形成された絶縁障壁層312とを有する第一の素子部と、前記自由層311と、自由層の膜面方向に形成された第二の固定層315と、自由層と第二の固定層との間に形成された非磁性層314とを有する第二の素子部を備える。磁化情報の書き込みに際しては第二の素子部の膜面方向に電流Iwを流し、磁化情報の読み出しに際しては第一の素子部の膜厚方向に電流IRを流す。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
自由層と、前記自由層の膜厚方向に形成された第一の固定層と、前記自由層と第一の固定層との間に形成された絶縁障壁層とを有する第一の素子部と、
前記自由層と、前記自由層の膜面方向に形成された第二の固定層と、前記自由層と第二の固定層との間に形成された非磁性層とを有する第二の素子部と、
前記第一の素子部の膜厚方向に電流IRを流す手段と、
前記第二の素子部の膜面方向に電流Iwを流す手段とを備え、
前記自由層の磁化が前記電流Iwにより磁化反転することで磁化情報が書き込まれ、前記自由層の磁化方向が電流IRにより検出されることを特徴とする磁気メモリ。
IPC (4件)：
H01L 27/105
, H01L 21/824
, G11C 11/15
, H01L 43/08
H01L27/10 447
, G11C11/15 140
, H01L43/08 Z
5F083FZ10
, 5F083GA05
, 5F083JA02
, 5F083JA36
, 5F083JA37
, 5F083JA38
, 5F083MA06
, 5F083MA16
, 5F083MA19
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (3件)
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