特許
J-GLOBAL ID：201403042562672915
結晶半導体膜の製造方法および製造装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
横井 幸喜
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-219756
公開番号（公開出願番号）：特開2014-072496
出願日： 2012年10月01日
公開日（公表日）： 2014年04月21日
要約：
【課題】非単結晶半導体膜をパルスレーザの照射により結晶化する際に、照射ムラが生じるのを防止する。【解決手段】パルスレーザの照射によって前記非単結晶半導体膜に微結晶化が生じる照射パルスエネルギー密度よりも低く、かつ複数回数N回の照射による結晶化に適した照射パルスエネルギー密度をE0として、照射パルスエネルギー密度E0と同じ照射パルスエネルギー密度E1で前記パルスレーザが照射される第1ステップと、照射パルスエネルギー密度E1よりも低く、かつ結晶が再溶融するため必要な照射エネルギー密度以上となる照射パルスエネルギーE2で前記パルスレーザが照射される第2ステップとを有し、同一照射面に対する第1ステップと第2ステップの合計照射回数をN回以上とする。【選択図】図6
請求項（抜粋）：
非単結晶半導体膜上に、パルスレーザを短軸方向に相対的に走査しつつオーバーラップ照射して結晶化を行う結晶半導体膜の製造方法において、
前記パルスレーザの照射によって前記非単結晶半導体膜に微結晶化が生じる照射パルスエネルギー密度よりも低く、かつ複数回数N回の照射による結晶化に適した照射パルスエネルギー密度をE0として、
前記照射パルスエネルギー密度E0と同じ照射パルスエネルギー密度E1で前記パルスレーザが照射される第1ステップと、
前記照射パルスエネルギー密度E1よりも低く、かつ結晶が再溶融するため必要な照射エネルギー密度以上となる照射パルスエネルギーE2で前記パルスレーザが照射される第2ステップとを有し、
同一照射面に対する前記第1ステップと前記第2ステップにおける合計照射回数がN回以上であることを特徴とする結晶半導体膜の製造方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (22件)：
5F152AA08
, 5F152BB02
, 5F152CE05
, 5F152CE24
, 5F152EE01
, 5F152EE05
, 5F152FF03
, 5F152FF28
, 5F152FF32
, 5F152FF33
, 5F152FF43
, 5F152FG03
, 5F152FG04
, 5F152FG08
, 5F152FG19
, 5F152FG23
, 5F152FG29
, 5F152FH03
, 5F152FH05
, 5F152FH10
, 5F152FH15
, 5F152FH19
