特許

J-GLOBAL ID：201403043507644259

絶縁ゲート型半導体装置

発明者： 田邊 広光 ,  都築 幸夫 ,  河野 憲司 ,  志賀 智英
出願人/特許権者： 株式会社デンソー ,  トヨタ自動車株式会社
代理人 (1件)： 特許業務法人ゆうあい特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-126292
公開番号（公開出願番号）：特開2014-197702
出願日： 2014年06月19日
公開日（公表日）： 2014年10月16日
要約：

【課題】ホールストッパー層の耐圧を確保しつつ、IGBTの導通損失およびスイッチングの低損失化および低ノイズ化を図ることができる構造を備えた絶縁ゲート型半導体装置を提供する。【解決手段】ベース層11を上部層11aと下部層11bとを有した構成とし、下部層11bの不純物濃度を上部層11aよりも低くする。そして、上部層11aと下部層11bとの界面から所定深さのところに、ゲート絶縁膜16から離間するN型のホールストッパー層19を備える。【選択図】図32

請求項（抜粋）：

第1導電型の半導体基板(10)と、 前記半導体基板(10)のうちの一面(10a)側に形成されると共にチャネルとして機能する第2導電型のベース層(11)と、 前記ベース層(11)を貫通して前記半導体基板(10)に達するように形成されることにより前記ベース層(11)を複数に分離し、一方向を長手方向として延設されたトレンチ(12)と、 複数に分離された前記ベース層(11)の一部に形成され、当該ベース層(11)内において前記トレンチ(12)の側面に接するように形成された第1導電型のエミッタ領域(14)と、 前記トレンチ(12)の表面に形成されたゲート絶縁膜(16)と、 前記トレンチ(12)内において、前記ゲート絶縁膜(16)の上に形成されたゲート電極(17)と、 前記エミッタ領域(14)に電気的に接続されたエミッタ電極(21)と、 前記半導体基板(10)に形成された第2導電型のコレクタ層(23)と、 前記コレクタ層(23)の上に形成されたコレクタ電極(24)と、を備えた絶縁ゲート型半導体装置であって、 前記ベース層(11)は、 前記半導体基板(10)の一面(10a)側に位置すると共に、前記エミッタ領域(14)が形成された第2導電型の上部層(11a)と、 前記上部層(11a)の下に形成されていると共に、前記上部層(11a)よりも不純物濃度が低い第2導電型の下部層(11b)と、 前記下部層(11b)に形成されていると共に前記上部層(11a)と前記下部層(11b)との界面から所定の深さのところに位置しており、少なくとも一部が前記ゲート絶縁膜(16)と離間している第1導電型のホールストッパー層(19)と、を備えていることを特徴とする絶縁ゲート型半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 29/739 ,  H01L 29/78

FI (5件)：

H01L29/78 655A ,  H01L29/78 653A ,  H01L29/78 655E ,  H01L29/78 652K ,  H01L29/78 652E

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体装置とその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-039808   出願人：株式会社豊田中央研究所, トヨタ自動車株式会社
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2009-114729   出願人：トヨタ自動車株式会社