半導体装置とその製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：特許業務法人快友国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-039808
公開番号（公開出願番号）：特開2008-205205
出願日： 2007年02月20日
公開日（公表日）： 2008年09月04日
要約：

【課題】オン電圧あるいはオン抵抗を低減化する半導体装置を、安定した性能で製造する技術を提供する。【解決手段】ボディ領域52(第2半導体領域)の不純物濃度は半導体層11の表面11aからの深さに依存して変化しており、フローティング半導体領域70が形成されている中間深さD2よりも表面側の深さD1(第1深部)とフローティング半導体領域70が形成されている中間深さD2よりも深部側の深さD3(第2深部)の双方において濃度の極大値を有している。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

半導体層の表面に臨んでいるとともに、第1導電型の不純物を含んでいる第1半導体領域と、第1半導体領域を取り囲んでいるとともに、第2導電型の不純物を含んでいる第2半導体領域と、第2半導体領域の下部に形成されており、第2半導体領域によって第1半導体領域から分離されているとともに、第1導電型の不純物を含んでいる第3半導体領域と、第2半導体領域内の中間深さに形成されており、第1導電型の不純物を含んでいるとともに、第1半導体領域と第3半導体領域の双方から第2半導体領域によって電気的に絶縁されているフローティング半導体領域と、第1半導体領域の表面から半導体層の深さ方向に伸びており、第2半導体領域を貫通しているとともに、その底面が第3半導体領域に突出しているトレンチと、トレンチの内面を覆っている絶縁層と、絶縁層で取り囲まれた状態でトレンチ内に収容されているトレンチゲート電極を備えており、第2半導体領域の不純物濃度は半導体層の表面からの深さに依存して変化しており、フローティング半導体領域が形成されている中間深さよりも表面側の第1深部とフローティング半導体領域が形成されている中間深さよりも深部側の第2深部の双方において濃度の極大値を有していることを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 29/78 , H01L 29/739 , H01L 21/336

FI (7件)：

H01L29/78 652E , H01L29/78 655A , H01L29/78 653A , H01L29/78 652D , H01L29/78 658G , H01L29/78 658F , H01L29/78 658A

引用特許：

出願人引用 (1件)

特願2004-141797号

審査官引用 (3件)

絶縁ゲート型半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-122898 出願人：株式会社豊田中央研究所, トヨタ自動車株式会社
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-062239 出願人：株式会社豊田中央研究所
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-092975 出願人：株式会社豊田中央研究所, トヨタ自動車株式会社

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