ドープされた希土類ケイ酸塩を含む蛍光材料

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：渡邉一平 , 木川幸治 , 佐藤博幸 , 小池成
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-539359
公開番号（公開出願番号）：特表2014-505742
出願日： 2011年11月16日
公開日（公表日）： 2014年03月06日
要約：

本発明は、Lnとは異なる元素Bでドープされた希土類(Ln)ケイ酸塩を含む材料であって、Bは、Ce、Pr、Tbの中から選択され、Bは、少なくとも部分的に、その4+酸化状態にあり(B4+)、前記材料中のB4+の量が、0.0001質量%〜0.1質量%の間に含まれる、材料に関する。この材料は、発光材料であってもよく、X線照射中に測定される強度に対して、100ミリ秒後に、通常200ppm未満の残光を呈し得る。好ましくは共ドープされる。酸化アニールすることにより得ることができる。特に、医療用画像装置で使用することができるイオン化粒子検出器への組み込みに適している。

請求項（抜粋）：

Lnとは異なる元素Bでドープされた希土類(Ln)ケイ酸塩を含む材料であって、Bは、Ce、Pr、Tbの中から選択され、前記元素Bは、少なくとも部分的にその4+酸化状態にあり(B4+)、前記材料中のB4+の量は、0.0001質量%〜0.1質量%の間に含まれる、材料。

IPC (7件)：

C09K 11/79 , C09K 11/80 , C09K 11/08 , C09K 11/00 , G01T 1/20 , G01T 1/161 , A61B 6/03

FI (7件)：

C09K11/79 , C09K11/80 , C09K11/08 B , C09K11/00 E , G01T1/20 B , G01T1/161 C , A61B6/03 320S

Fターム (42件)：

2G188AA02 , 2G188BB02 , 2G188BB04 , 2G188BB05 , 2G188BB06 , 2G188BB09 , 2G188CC09 , 4C093AA22 , 4C093EB12 , 4C188EE02 , 4C188FF07 , 4C188GG10 , 4C188KK15 , 4H001CA02 , 4H001CF02 , 4H001XA08 , 4H001XA14 , 4H001XA39 , 4H001XA57 , 4H001XA59 , 4H001XA60 , 4H001XA62 , 4H001XA63 , 4H001XA64 , 4H001XA65 , 4H001XA66 , 4H001XA67 , 4H001XA68 , 4H001XA69 , 4H001XA70 , 4H001XA71 , 4H001YA12 , 4H001YA13 , 4H001YA20 , 4H001YA21 , 4H001YA31 , 4H001YA38 , 4H001YA49 , 4H001YA56 , 4H001YA58 , 4H001YA59 , 4H001YA65

引用特許：

審査官引用 (5件)

単結晶の熱処理方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-253885 出願人：日立化成工業株式会社
残光が少なく、高密度、高速のシンチレーター物質
公報種別：公表公報出願番号：特願2007-525327 出願人：サン-ゴバンクリストーエデテクトゥール
シンチレータ用単結晶及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-262568 出願人：日立化成工業株式会社

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引用文献：

審査官引用 (2件)

A 36-Pixel Tunnel Junction Soft X-Ray Spectrometer for Scintillator Material Science
A 36-Pixel Tunnel Junction Soft X-Ray Spectrometer for Scintillator Material Science

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