半導体素子の作製方法

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-183616
公開番号（公開出願番号）：特開2014-033208
出願日： 2013年09月05日
公開日（公表日）： 2014年02月20日
要約：

【課題】閾値電圧が制御され、動作速度が速く、製造工程が比較的簡単であり、十分な信頼性を有する、酸化物半導体を用いた薄膜トランジスタ、及び薄膜トランジスタの作製方法を提供することを課題の一つとする。【解決手段】酸化物半導体層に含まれるキャリア濃度に影響する不純物、例えば、水素原子や、H2Oなど水素原子を含む化合物を排除すればよい。酸化物半導体層に接して未結合手に代表される欠陥を多く含む酸化物絶縁層を形成し、当該酸化物絶縁層に不純物を拡散させ、上記酸化物半導体層中の不純物濃度を低減すればよい。また、酸化物半導体層、又は酸化物半導体層に接する酸化物絶縁層を、クライオポンプを用いて排気して不純物濃度が低減された成膜室内で成膜すればよい。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

基板上方にゲート電極を形成する工程と、前記ゲート電極上方にゲート絶縁層を形成する工程と、前記ゲート絶縁層上方に酸化物半導体層を形成する工程と、前記酸化物半導体層上方に、ソース電極及びドレイン電極を形成する工程と、前記酸化物半導体層と接する領域を有する酸化物絶縁層を形成する工程と、を有する半導体素子の作製方法であって、処理室内の水分を排出し、前記処理室内において金属酸化物をターゲットとして前記酸化物半導体層を形成する工程を有することを特徴とする半導体素子の作製方法。

IPC (4件)：

H01L 21/336 , H01L 29/786 , G02F 1/136 , H01L 21/363

FI (4件)：

H01L29/78 618A , H01L29/78 618B , G02F1/1368 , H01L21/363

Fターム (75件)：

2H192AA24 , 2H192CB05 , 2H192CB37 , 2H192CB83 , 2H192HA11 , 2H192HA91 , 5F103AA08 , 5F103BB22 , 5F103BB49 , 5F103DD30 , 5F103GG03 , 5F103HH04 , 5F103LL13 , 5F103NN01 , 5F103NN05 , 5F103PP03 , 5F103RR05 , 5F110AA08 , 5F110AA14 , 5F110CC07 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD03 , 5F110DD04 , 5F110DD07 , 5F110DD13 , 5F110DD14 , 5F110DD15 , 5F110DD17 , 5F110DD24 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE06 , 5F110EE07 , 5F110EE14 , 5F110EE23 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF04 , 5F110FF07 , 5F110FF09 , 5F110FF28 , 5F110FF29 , 5F110GG01 , 5F110GG22 , 5F110GG25 , 5F110GG33 , 5F110GG34 , 5F110GG43 , 5F110GG57 , 5F110GG58 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK21 , 5F110HK22 , 5F110HK32 , 5F110HK42 , 5F110NN02 , 5F110NN03 , 5F110NN04 , 5F110NN22 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN34 , 5F110NN35 , 5F110PP01 , 5F110PP02 , 5F110PP10 , 5F110PP13 , 5F110PP29 , 5F110QQ01 , 5F110QQ06 , 5F110QQ09

引用特許：

審査官引用 (4件)

電界効果型トランジスタの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2008-223480 出願人：キヤノン株式会社
発光装置とその作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2008-036044 出願人：キヤノン株式会社
発光装置、表示装置及びこれらの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-278920 出願人：キヤノン株式会社

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