特許
J-GLOBAL ID：200903010605635637

酸化物半導体装置およびその製造方法

発明者：
内山 博幸

内山 博幸 について


出願人/特許権者：
株式会社日立製作所

株式会社日立製作所 について


代理人 (1件)： ポレール特許業務法人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-333865
公開番号（公開出願番号）：特開2009-158663
出願日： 2007年12月26日
公開日（公表日）： 2009年07月16日
要約：
【課題】酸化亜鉛系酸化物半導体層とゲート絶縁膜層界面に存在する酸素欠損を原因とした通電によるしきい電位シフトやリーク電流の存在によりディスプレイデバイス向けの薄膜トランジスタとしての信頼性が得られなかった。【解決手段】酸化亜鉛系酸化物半導体とゲート絶縁膜の界面に発生する酸素欠陥を物性値変化のほとんど起こらない酸素族元素である硫黄やセレンおよびこれらの化合物を用いた表面処理により終端する。製造プロセスに大きな変更を伴わず、酸化物半導体上もしくはゲート絶縁膜上を気相または液相処理を行うだけで、酸素欠損を硫黄やセレン原子が効果的に置換し、電子補足サイトの発生を防止する。その結果、薄膜トランジスタ特性におけるしきい電位シフトやリーク電流の抑制が実現される。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
基板上に設けられ亜鉛を含む酸化物半導体から構成されたチャネル層と、 前記チャネル層を挟むように該チャネル層の両端部に接して設けられたソース・ドレイン電極層と、 前記チャネル層の一表面に接して設けられたゲート絶縁膜と、 前記ゲート絶縁膜上に設けられ、前記チャネル層に前記ゲート絶縁膜を介して電界を与えるゲート電極と、を有し、 前記ゲート絶縁膜と前記チャネル層とが接触する界面に、硫黄、またはセレンの少なくとも一つを含む表面処理層を有することを特徴とする酸化物半導体装置。
IPC (5件)：
H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/778 ,  H01L 29/812
FI (5件)：
H01L29/78 618B ,  H01L29/78 618F ,  H01L29/78 618E ,  H01L29/78 618A ,  H01L29/80 H
Fターム (50件)：
5F102FA00 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD10 ,  5F102GJ01 ,  5F102GJ10 ,  5F102GK01 ,  5F102GL01 ,  5F102GM01 ,  5F102GQ01 ,  5F102HC00 ,  5F102HC01 ,  5F102HC11 ,  5F102HC15 ,  5F102HC19 ,  5F110AA08 ,  5F110AA26 ,  5F110BB02 ,  5F110BB05 ,  5F110BB20 ,  5F110CC03 ,  5F110CC05 ,  5F110DD02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE14 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF28 ,  5F110FF29 ,  5F110FF30 ,  5F110GG04 ,  5F110GG06 ,  5F110GG07 ,  5F110GG19 ,  5F110GG25 ,  5F110GG42 ,  5F110GG43 ,  5F110GG44 ,  5F110GG57 ,  5F110GG58 ,  5F110HK07 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33 ,  5F110NN02 ,  5F110NN22 ,  5F110NN24 ,  5F110NN35
引用特許：
出願人引用 (4件)
  • 薄膜トランジスタ
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-255737   出願人：カシオ計算機株式会社
  • 薄膜トランジスタの製法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-255732   出願人：カシオ計算機株式会社
  • トランジスタ構造及びその製作方法
    公報種別：公表公報   出願番号：特願2005-501592   出願人：ザ・ステート・オブ・オレゴン・アクティング・バイ・アンド・スルー・ザ・ステート・ボード・オブ・ハイヤー・エデュケーション・オン・ビハーフ・オブ・オレゴン・ステート・ユニバーシティ
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審査官引用 (2件)

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