特許
J-GLOBAL ID：201403044116849871
ヘテロ接合バイポーラトランジスタ及び、ヘテロ接合バイポーラトランジスタの製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (6件)：
木村 満
, 毛受 隆典
, 森川 泰司
, 雨宮 康仁
, 桜田 圭
, 美恵 英樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-164202
公開番号（公開出願番号）：特開2014-027027
出願日： 2012年07月24日
公開日（公表日）： 2014年02月06日
要約：
【課題】良好な電流利得を備えるヘテロ接合バイポーラトランジスタと、その製造方法を提供する。【解決手段】ヘテロ接合バイポーラトランジスタは、基板201と、p型バッファ層203と、サブコレクタ層207と、コレクタ層209と、ベース層211と、エミッタ層213とを備える。ベース電極コンタクト領域内のエミツタ層213をエッチングし、ベース層でエッチングを止めるのには、複数のエッチング処理が用いられる。コレクタ電極コンタクト領域内のベース層211とコレクタ層209はサブコレクタ層で停止するエッチング処理によって、除去され、コレクタ電極は、コレクタ電極コンタクト領域内のサブコレクタ層の上に設けられる。エミッタ電極はエミッタ層の上に設けられる。【選択図】図4
請求項（抜粋）：
基板と、
前記基板の上に形成されたp型バッファ層と、
前記p型バッファ層の上に形成されたサブコレクタ層と、
前記サブコレクタ層の上に形成されたコレクタ層と、
前記コレクタ層の上に形成されたベース層と、
前記ベース層の上に形成されたエミッタ層と、
前記サブコレクタ層の一端に設けられたコレクタ電極と、
前記ベース層の一端に設けられたベース電極と、
前記エミッタ層上に設けられたエミッタ電極と、
を備えることを特徴とするヘテロ接合バイポーラトランジスタ。
IPC (2件)：
H01L 21/331
, H01L 29/737
5F003BA92
, 5F003BC02
, 5F003BC90
, 5F003BE04
, 5F003BE90
, 5F003BF06
, 5F003BH18
, 5F003BM02
, 5F003BM03
, 5F003BP08
, 5F003BP32
, 5F003BP94
, 5F003BP96
