特許
J-GLOBAL ID:201403044459648758
逆導電性パワー半導体スイッチを備えたモジュール式の複数コンバータ
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (3件):
村山 靖彦
, 渡邊 隆
, 実広 信哉
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願2014-501521
公開番号(公開出願番号):特表2014-509828
出願日: 2012年03月14日
公開日(公表日): 2014年04月21日
要約:
本発明の好適な実施形態によれば、ユニポーラ・エネルギ貯蔵部が、ターンオンおよびターンオフでき同一の順方向に並列に接続されたパワー半導体スイッチを備えた直列回路とともに提供されている。第1の接続端子がエネルギ貯蔵部の第1の電極に接続され、第2の接続端子が制御可能パワー半導体スイッチの間に存在する電位点に接続される。この種のサブモジュールの回路は基本的に公知であるが、本発明によれば、負荷が高いパワー半導体スイッチは逆導電性パワー半導体スイッチである。動作中は当該パワー半導体スイッチに高い負荷がかかるので、接続端子間の上記ブリッジ分岐内の1つの逆導電性パワー半導体スイッチのみを使用するだけで動作損失を減らすのに十分である。接続端子間に存在しないパワー半導体スイッチは、先行技術と同様、フリーホイール・ダイオードが反対方向に並列に接続された非逆導電性パワー半導体スイッチである。
請求項(抜粋):
少なくとも1つのユニポーラ・エネルギ貯蔵部(14)と、
第1の接続端子および第2の接続端子(16、17)と、
制御信号と割り当てられたパワー半導体スイッチ(T1、T4)と反対方向に並列に接続されたフリーホイール・ダイオード(D1、D2)とによりターンオンおよびターンオフできるパワー半導体スイッチ(T1、T4、19)を備えたパワー半導体回路であって、前記パワー半導体スイッチ(T1、T4、19)の制御に応じて、前記エネルギ貯蔵部(14)の1つもしくは全部にわたる電圧降下またはゼロ電圧を前記第1のおよび前記第2の接続端子(16、17)の間で生成することができ、前記パワー半導体回路は前記第1のおよび第2の接続端子(16、17)の電位点の間に存在するブリッジ分岐(18)を形成する、パワー半導体回路と、
を備え、
前記ブリッジ分岐(18)に配置された前記パワー半導体スイッチのみが逆導電性パワー半導体スイッチ(19)であることを特徴とする、
モジュール式多層コンバータ(1)向けのサブモジュール(13)。
IPC (1件):
FI (1件):
Fターム (6件):
5H007CA01
, 5H007CB02
, 5H007CB05
, 5H007CC23
, 5H007DA06
, 5H007DB01
引用特許: