特許

J-GLOBAL ID：201403045282744804

半導体素子のダイボンド接合構造及び半導体素子のダイボンド接合方法

発明者： 小柏 俊典 ,  栗田 昌昭 ,  宮入 正幸
出願人/特許権者： 田中貴金属工業株式会社
代理人 (1件)： 特許業務法人田中・岡崎アンドアソシエイツ
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-213041
公開番号（公開出願番号）：特開2014-067917
出願日： 2012年09月26日
公開日（公表日）： 2014年04月17日
要約：

【課題】半導体デバイス、特に、パワーデバイス等の高温環境下で使用されるものについて、接合欠陥の生じ難いダイボンド接合構造及びダイボンディング法を提供する。【解決手段】本発明は、基板上に形成された銅又は銅合金からなる配線と半導体素子とを接合材を介するダイボンディングで接合して形成されるダイボンド接合構造において、前記配線と接合材との間に、配線側に形成されたルテニウムからなる第1バリア層と、前記第1バリア層上に形成されたタンタルからなる第2バリア層と、を備えることを特徴とする半導体素子のダイボンド接合構造である。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板上に形成された銅又は銅合金からなる配線と半導体素子とを接合材を介するダイボンディングで接合して形成されるダイボンド接合構造において、 前記配線と接合材との間に、配線側に形成されたルテニウムからなる第1バリア層と、前記第1バリア層上に形成されたタンタルからなる第2バリア層と、を備えることを特徴とする半導体素子のダイボンド接合構造。

IPC (1件)：

H01L 21/52

FI (3件)：

H01L21/52 B ,  H01L21/52 D ,  H01L21/52 E

Fターム (7件)：

5F047AA00 ,  5F047BA12 ,  5F047BA15 ,  5F047BA19 ,  5F047BB13 ,  5F047BB16 ,  5F047BC01

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 回路基板及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2010-046317   出願人：富士通株式会社
• 接合方法及び接合構造
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-012397   出願人：日産自動車株式会社