半導体装置および半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：酒井昭徳
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-525619
特許番号：特許第5626472号
出願日： 2012年06月11日
請求項（抜粋）：

【請求項1】導電パターンが形成された絶縁基板と、前記絶縁基板の前記導電パターンに半田付けされた外部導出端子である独立端子と、前記独立端子の上面が露出するように、前記絶縁基板に被せられたケースと、前記ケースの側面に設けられた開口部と、前記開口部から前記独立端子を潜るように差し込まれ前記独立端子を固定するナットグローブと、前記ナットグローブの側面に形成され、前記ナットグローブが差し込まれる方向の前方および後方にそれぞれテーパーがついた第1の突起部と、を備え、前記第1の突起部の後方の前記テーパー箇所が前記開口部の側壁面に圧接されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：