特許

J-GLOBAL ID：201403046470306993

半導体デバイス

発明者： 綾野 賢治郎 ,  眞▲崎▼ 伸一 ,  井上 修二
出願人/特許権者： アオイ電子株式会社
代理人 (1件)： 永井 冬紀
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-180509
公開番号（公開出願番号）：特開2014-038942
出願日： 2012年08月16日
公開日（公表日）： 2014年02月27日
要約：

【課題】封止樹脂との熱膨張係数の相違に起因して透光性部材が破損するのを防止する。【解決手段】回路基板2の上面21上に搭載された半導体素子3の機能領域31上に、透明接着剤層7により接着された透光性部材4が積層されている。回路基板2の上面21上には、半導体素子3およびワイヤ6を覆い、かつ、透光性部材4の周囲を覆って封止する封止部材5が形成されている。封止部材5は、透光性部材4の厚さの下半部以下の領域を覆って透光性部材4を封止している。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板と、 前記基板の一面上に搭載され、上面に機能領域が形成された半導体素子と、 前記半導体素子の機能領域上に積層された透光性部材と、 前記基板の一面上に形成され、前記半導体素子の周囲および前記透光性部材の周囲を覆って封止する封止部材と、を備え、 前記封止部材は、前記透光性部材の厚さの下半部以下の領域を覆っていることを特徴とする半導体デバイス。

IPC (3件)：

H01L 27/14 ,  H01L 23/28 ,  H04N 5/369

FI (3件)：

H01L27/14 D ,  H01L23/28 D ,  H04N5/335 690

Fターム (22件)：

4M109AA01 ,  4M109BA03 ,  4M109CA04 ,  4M109DA03 ,  4M109DB15 ,  4M109EA02 ,  4M109EA10 ,  4M109GA01 ,  4M118AA08 ,  4M118AB01 ,  4M118GC11 ,  4M118GC20 ,  4M118HA02 ,  4M118HA11 ,  4M118HA12 ,  4M118HA17 ,  4M118HA24 ,  4M118HA30 ,  5C024AX01 ,  5C024CY48 ,  5C024EX51 ,  5C024EX55

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-130799   出願人：パナソニック株式会社
• 光学デバイス、光学デバイス装置、カメラモジュールおよび光学デバイス装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-014380   出願人：松下電器産業株式会社
• イメージセンサ・ボールグリッドアレイ・パッケージ及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-090588   出願人：アンテルユニヴェルシテール・ミクロ-エレクトロニカ・サントリュム・ヴェー・ゼッド・ドゥブルヴェ, カスタム・シリコン・コンフィギュレイション・サービシーズ
• 光学デバイス装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-309985   出願人：パナソニック株式会社
• 光学デバイス、固体撮像装置、及び方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2009-288290   出願人：パナソニック株式会社