特許
J-GLOBAL ID：201403046633900510

抵抗スイッチングのための高感度磁性制御ヘテロ接合デバイス

発明者：
サティーシュチャンドラ、バルクリシュナ、オーガル

サティーシュチャンドラ、バルクリシュナ、オーガル について

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ダイパンカー、ダス、サルマ

ダイパンカー、ダス、サルマ について

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アビマニュ、シン、ラナ

アビマニュ、シン、ラナ について

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ビシャール、プラバカール、タカール

ビシャール、プラバカール、タカール について

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アニル、クマール、プリー

アニル、クマール、プリー について


出願人/特許権者：
カウンシル・オブ・サイエンティフィック・アンド・インダストリアル・リサーチ

カウンシル・オブ・サイエンティフィック・アンド・インダストリアル・リサーチ について


代理人 (3件)： 勝沼 宏仁 ,  中村 行孝 ,  横田 修孝
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-516458
公開番号（公開出願番号）：特表2014-525140
出願日： 2012年06月25日
公開日（公表日）： 2014年09月25日
要約：
本発明は、極薄フェリ磁性CoFe2O4(CFO)層をもつ強磁性(La0.66Sr0.34MnO3)LSMO層を含んでなる複合材料からなる、室温かつマイクロテスラ磁場で制御可能な巨大抵抗スイッチング(RS)を行うことができる高感度磁気ヘテロ接合デバイスを開示する。
請求項（抜粋）：
単結晶(001)LaAlO3(LAO)と、強磁性La0.66Sr0.34MnO3(LSMO)層と、フェリ磁性CoFe2O4(CFO)層とで構成された基板を含んでなることを特徴とする高感度磁気ヘテロ接合デバイス。
IPC (9件)：
H01L 43/08 ,  H01L 43/10 ,  H01L 27/105 ,  H01L 21/824 ,  H01F 10/18 ,  H01F 10/30 ,  H01F 41/20 ,  G01R 33/09 ,  H01F 10/16
FI (7件)：
H01L43/08 M ,  H01L27/10 447 ,  H01F10/18 ,  H01F10/30 ,  H01F41/20 ,  G01R33/06 R ,  H01F10/16
Fターム (20件)：
2G017AA01 ,  2G017AD54 ,  2G017AD65 ,  4M119AA03 ,  4M119BB05 ,  4M119JJ01 ,  5E049AB10 ,  5E049BA30 ,  5E049DB04 ,  5E049FC10 ,  5F092AA01 ,  5F092AB01 ,  5F092AB06 ,  5F092AB09 ,  5F092AC14 ,  5F092AD03 ,  5F092BB45 ,  5F092BC13 ,  5F092BE27 ,  5F092CA02
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (3件)
引用文献：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (3件)

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